Найдено: 4
  • SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A 2-PIN
    Global Power Technology-GPT
    • Производитель: Global Power Technology-GPT
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2
    • Тип корпуса: TO-220AC
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 30.5A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.5V @ 8A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 50µA @ 650V
    • Емкость @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A DFN5*
    Global Power Technology-GPT
    • Производитель: Global Power Technology-GPT
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 8-PowerTDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN (4.9x5.75)
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 30.5A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.5V @ 6A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 50µA @ 650V
    • Емкость @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A DFN5*
    Global Power Technology-GPT
    • Производитель: Global Power Technology-GPT
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 8-PowerTDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN (4.9x5.75)
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 30.5A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 8A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 50µA @ 650V
    • Емкость @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A 2-PI
    Global Power Technology-GPT
    • Производитель: Global Power Technology-GPT
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2
    • Тип корпуса: TO-220AC
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 30.5A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 50µA @ 650V
    • Емкость @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: