-
- Конфигурация
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Входной каскад
- Тип канала
- IGBT Type
- Резистор базы (R1)
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Выходная мощность
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
- Input Capacitance (Cies) @ Vce
- Input
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Test Condition
- Voltage - Test
- Current - Test
- Current - Collector Pulsed (Icm)
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Время обратного восстановления (trr)
- NTC Thermistor
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Switching Energy
- Gate Charge
- Td (on/off) @ 25°C
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
- Ток стока @ Vds (Vgs=0)
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
- Сопротивление канала (On)
- Ток стока макс (Id)
- Серия
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: PG-SOT323
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 420 @ 2mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
- Граничная частота: 250MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: HEXFET®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип корпуса: D2PAK
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5080pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 230W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±16V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: SP4
- Тип корпуса: SP4
- Конфигурация: Dual, Common Source
- Мощность - Макс.: 833W
- Ток коллектора (макс): 220A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Обратный ток коллектора: 300µA
- Input: Standard
- IGBT Type: NPT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.6nF @ 25V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: UMT3
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 2mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/454
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-5
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 200V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 500mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 800mV @ 400mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 200nA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6
- Тип корпуса: 6-TSOP
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 24V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 500mW (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS
- Серия: GenX3™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
- Тип корпуса: TO-264 (IXGK)
- Мощность - Макс.: 1250W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 230A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Test Condition: 600V, 80A, 2Ohm, 15V
- IGBT Type: PT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 82A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 500A
- Switching Energy: 5mJ (on), 3.3mJ (off)
- Gate Charge: 350nC
- Td (on/off) @ 25°C: 30ns/210ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SC-59-5, Mini Mold
- Тип канала: 2 P-Channel (Dual)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 50V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100mA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60Ohm @ 10mA, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 1µA
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 5V
- Мощность - Макс.: 300mW
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Ampleon USA Inc.
- Package / Case: SOT-1258-3
- Тип корпуса: DFM6
- Частота: 1.81GHz ~ 1.88GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 400mA
- Выходная мощность: 470W
- Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
- Усиление: 15.7dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: SOT-227B
- Конфигурация: Single
- Мощность - Макс.: 250W
- Ток коллектора (макс): 75A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Обратный ток коллектора: 350µA
- Input: Standard
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.85nF @ 25V
- NTC Thermistor: No
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SuperSOT-3
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.9A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 195pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 500mW (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SOT-89-3
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 150mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 150MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Тип канала: N-Channel
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1A
- Сопротивление канала (On): 60 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247AC
- Время обратного восстановления (trr): 50ns
- Мощность - Макс.: 370W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 75A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Test Condition: 390V, 33A, 3.3Ohm, 15V
- IGBT Type: NPT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 150A
- Switching Energy: 360µJ (on), 380µJ (off)
- Gate Charge: 240nC
- Td (on/off) @ 25°C: 34ns/130ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100