• Производитель: Panasonic Electronic Components
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• Тип корпуса: SMINI6-G1
• Мощность - Макс.: 150mW
• Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 160 @ 2mA, 10V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
• Обратный ток коллектора: 100µA
• Граничная частота: 150MHz

• Производитель: onsemi
• Серия: SuperFET™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220-3
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 50W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: IXYS
• Серия: GenX3™, XPT™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247 (IXTH)
• Время обратного восстановления (trr): 195ns
• Мощность - Макс.: 230W
• Входной каскад: Standard
• Ток коллектора (макс): 36A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
• Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
• Current - Collector Pulsed (Icm): 88A
• Switching Energy: 1.3mJ (on), 500µJ (off)
• Gate Charge: 53nC
• Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns

• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Package / Case: HBSOF-4-1
• Тип корпуса: PG-HBSOF-4-1
• Частота: 869MHz ~ 960MHz
• Номинальное напряжение: 105V
• Current - Test: 900mA
• Выходная мощность: 240W
• Тип транзистора: LDMOS
• Усиление: 22.5dB
• Voltage - Test: 48V
• Номинальный ток: 10µA

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
• Мощность - Макс.: 246mW
• Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 8 @ 5mA, 10V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 500nA
• Резистор базы (R1): 2.2kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 2.2kOhms

• Производитель: NTE Electronics, Inc

• Производитель: Vishay Siliconix
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
• Тип корпуса: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 250V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1W (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: NXP USA Inc.
• Серия: TrenchMOS™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220AB
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 25A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 1mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1074pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 93W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Vishay Siliconix
• Серия: TrenchFET®
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип корпуса: 8-SO
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 24.5A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3150pF @ 15V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: Military, MIL-PRF-19500/355
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
• Package / Case: TO-78-6 Metal Can
• Тип корпуса: TO-78-6
• Мощность - Макс.: 350mW
• Тип транзистора: 2 PNP (Dual)
• Ток коллектора (макс): 50mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
• Усиление по току (hFE): 150 @ 1mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
• Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 6-WDFN (2x2)
• Мощность - Макс.: 2.27W
• Тип транзистора: 2 PNP (Dual)
• Ток коллектора (макс): 1A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
• Усиление по току (hFE): 120 @ 500mA, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
• Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
• Граничная частота: 155MHz

• Производитель: Rochester Electronics, LLC
• Серия: CoolMOS™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: PG-TO247-3
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 73nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1.62pF @ 100V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 151W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Vishay Siliconix
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D2PAK
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 125W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Nexperia USA Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: TO-236AB
• Мощность - Макс.: 250mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 600mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 150mA, 1V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
• Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
• Граничная частота: 250MHz

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: CoolMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
• Тип корпуса: PG-SOT223-4
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.5V @ 80µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1.8W (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V