-
- Конфигурация
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Входной каскад
- Тип канала
- IGBT Type
- Резистор базы (R1)
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Выходная мощность
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
- Input Capacitance (Cies) @ Vce
- Input
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Test Condition
- Voltage - Test
- Current - Test
- Current - Collector Pulsed (Icm)
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Время обратного восстановления (trr)
- NTC Thermistor
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Switching Energy
- Gate Charge
- Td (on/off) @ 25°C
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
- Ток стока @ Vds (Vgs=0)
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
- Сопротивление канала (On)
- Ток стока макс (Id)
- Серия
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: 440217
- Тип корпуса: 440217
- Частота: 5.2GHz ~ 5.9GHz
- Номинальное напряжение: 125V
- Current - Test: 1A
- Выходная мощность: 450W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 11.2dB
- Voltage - Test: 50V
- Номинальный ток: 24A
-
- Производитель: Ampleon USA Inc.
- Package / Case: SOT-1244B
- Тип корпуса: CDFM6
- Частота: 1.81GHz ~ 1.88GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 900mA
- Выходная мощность: 35W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 18.5dB
- Voltage - Test: 28V
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: H-37248C-4
- Тип корпуса: H-37248C-4
- Частота: 3.4GHz ~ 3.6GHz
- Номинальное напряжение: 125V
- Current - Test: 200mA
- Выходная мощность: 280W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 13.5dB
- Voltage - Test: 48V
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Частота: 18GHz
- Номинальное напряжение: 100V
- Current - Test: 30mA
- Выходная мощность: 6W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 17dB
- Voltage - Test: 40V
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Package / Case: T-1
- Тип корпуса: T-1
- Частота: 40.7MHz
- Номинальное напряжение: 1000V
- Выходная мощность: 750W
- Тип транзистора: N-Channel
- Усиление: 15dB
- Voltage - Test: 400V
- Номинальный ток: 8A
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
- Тип корпуса: H-34288-4/2
- Частота: 2.17GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 1.2A
- Выходная мощность: 32W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 18dB
- Voltage - Test: 30V
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: H-37248-4
- Тип корпуса: H-37248-4
- Частота: 2.62GHz ~ 2.69GHz
- Номинальное напряжение: 125V
- Current - Test: 200mA
- Выходная мощность: 340W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 17dB
- Voltage - Test: 48V
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Package / Case: PG-HB2SOF-8-1
- Тип корпуса: PG-HB2SOF-8-1
- Частота: 2.62GHz ~ 2.69GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 850mA
- Выходная мощность: 57W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 14dB
- Voltage - Test: 28V
- Номинальный ток: 10µA
- 10
- 15
- 50
- 100