-
- Конфигурация
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Входной каскад
- Тип канала
- IGBT Type
- Резистор базы (R1)
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Выходная мощность
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
- Input Capacitance (Cies) @ Vce
- Input
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Test Condition
- Voltage - Test
- Current - Test
- Current - Collector Pulsed (Icm)
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Время обратного восстановления (trr)
- NTC Thermistor
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Switching Energy
- Gate Charge
- Td (on/off) @ 25°C
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
- Ток стока @ Vds (Vgs=0)
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
- Сопротивление канала (On)
- Ток стока макс (Id)
- Серия
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: 440161
- Тип корпуса: 440161
- Частота: 1.2GHz ~ 1.4GHz
- Номинальное напряжение: 150V
- Current - Test: 500mA
- Выходная мощность: 250W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 17.8dB
- Voltage - Test: 50V
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
- Тип корпуса: TO-264
- Частота: 45MHz
- Номинальное напряжение: 500V
- Current - Test: 250µA
- Выходная мощность: 350W
- Тип транзистора: N-Channel
- Усиление: 16dB
- Voltage - Test: 150V
- Номинальный ток: 30A
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Package / Case: SOT-502A
- Тип корпуса: LDMOST
- Частота: 2.3GHz ~ 2.4GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 900mA
- Выходная мощность: 20W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 18dB
- Voltage - Test: 28V
- Номинальный ток: 28A
-
- Производитель: Ampleon USA Inc.
- Package / Case: SOT-608B
- Тип корпуса: CDFM2
- Частота: 922.5MHz ~ 957.5MHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 350mA
- Выходная мощность: 1W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 23dB
- Voltage - Test: 28V
- Номинальный ток: 13A
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Package / Case: H-36265-2
- Тип корпуса: H-36265-2
- Частота: 960MHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 650mA
- Выходная мощность: 25W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 19.5dB
- Voltage - Test: 28V
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: PW-MINI
- Частота: 470MHz
- Номинальное напряжение: 10V
- Current - Test: 50mA
- Выходная мощность: 28dbm
- Тип транзистора: N-Channel
- Усиление: 8dB
- Voltage - Test: 4.5V
- Номинальный ток: 500mA
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Package / Case: T11
- Тип корпуса: T11
- Частота: 30MHz
- Номинальное напряжение: 270V
- Current - Test: 250mA
- Выходная мощность: 150W
- Тип транзистора: N-Channel
- Усиление: 22dB
- Voltage - Test: 100V
- Номинальный ток: 12A
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Package / Case: H-37275G-6/2
- Тип корпуса: H-37275G-6/2
- Частота: 2.11GHz ~ 2.17GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 720mA
- Выходная мощность: 290W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 13.5dB
- Voltage - Test: 28V
- Номинальный ток: 10µA
- 10
- 15
- 50
- 100