• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1022
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
Мощность - Макс.
Ток стока макс (Id)
Вид монтажа
Рабочая температура
Тип корпуса
Тип канала
Напряжение сток-исток (Vdss)
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Ток стока @ Vds (Vgs=0)
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
Сопротивление канала (On)
Серия
2N4859A JFET N-CH 30V 50MA 360MW TO18 Central Semiconductor Corp TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 30V 360mW 250 pA Through Hole -65°C ~ 200°C (TJ) TO-18 N-Channel 30V 10pF @ 10V (VGS) 50mA @ 15V 10V @ 500pA 25 Ohms
174DFN 8L P-CHANNEL, SINGLE, JFET SWITCH Linear Integrated Systems, Inc. 8-VFDFN Exposed Pad 30V 350mW 50 mA Surface Mount -55°C ~ 135°C (TJ) 8-DFN (2x2) P-Channel 30V 20mA @ 15V 5V @ 10nA 85 Ohms 174DFN
2N4391 N CHANNEL JFET Microchip Technology 40V 1.8W N-Channel 14pF @ 20V 50mA @ 20V 4V @ 1nA 30 Ohms
MX2N4861UB JFET Microchip Technology
MQ2N4860 JFET Microchip Technology
J2A080GX0/T0BG295, TRANSISTOR JFET 8PLLCC NXP USA Inc.
J113_D26Z JFET N-CH 35V 625MW TO92 onsemi TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 35V 625mW Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92-3 N-Channel 2mA @ 15V 500mV @ 1µA 100 Ohms
J177_D26Z JFET P-CH 30V 0.35W TO92 onsemi TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 30V 350mW Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92-3 P-Channel 1.5mA @ 15V 800mV @ 10nA 300 Ohms
2SK3796-3-TL-E JFET N-CH 10MA 100MW SMCP onsemi TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 100mW 10 mA Surface Mount 150°C (TJ) SMCP N-Channel 30V 4pF @ 10V 1.2mA @ 10V 180mV @ 1µA 200 Ohms
SMMBFJ177LT1 TRANS JFET P-CH SOT23 onsemi
CPH3910-TL-E JFET N-CH 25V 50MA 3CPH onsemi TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 25V 400mW 50 mA Surface Mount 150°C (TJ) 3-CPH N-Channel 25V 6pF @ 5V 20mA @ 5V 1.8V @ 100µA
DSK9J01Q0L TRANS JFET N-CH 30MA SMD Rohm Semiconductor SC-89, SOT-490 125mW 30 mA Surface Mount -40°C ~ 85°C (TA) SSMini3-F3-B N-Channel 6pF @ 10V
SST204-E3 JFET N-CH 25V .7MA SOT-23 Vishay Siliconix TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 40V 350mW Surface Mount -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-23 N-Channel 4.5pF @ 15V 200µA @ 15V 300mV @ 10nA
SST174-T1-E3 JFET N-CH 30V 20MA SOT-23 Vishay Siliconix TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 30V 350mW Surface Mount -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-23 P-Channel 20pF @ 0V 20mA @ 15V 5V @ 10nA 85 Ohms
2N4391-2 MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 Vishay Siliconix TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 40V 1.8W Through Hole -65°C ~ 200°C (TJ) TO-206AA (TO-18) N-Channel 14pF @ 20V 50mA @ 20V 4V @ 1nA 30 Ohms
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Полевой транзистор с управляющим pn-переходом — это вид полевого транзистора, в котором область канала, p- или n- типа образует pn-переход c областью затвора. Затвор располагается между стоком и истоком - контактами, соединенными с концами канала. Увеличение обратного напряжения на затворе приводит к вытенению носителей заряда из области затвора, управляя таким образом током, протекающим через канал.


Справочная информация по основным параметрам:

Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
FET Type (Тип канала) — Тип проводимости канала полевого транзистора может быть p- или n- типа и этим определяется полярность напряжения питания, прикладываемого к компоненту.
Drain to Source Voltage (Vdss) (Напряжение сток-исток (Vdss)) — Напряжение между стоком и истоком при котором полевой транзистор может нормально функционировать. Превышение этого напряжения приводит к лавинному пробою канала, вполне обратимому, если ток не превышает критических значений.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds (Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds) — по сути электрическая емкость затвора, обусловленная конструкцией и топологией полевого транзистора.
Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) (Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)) — Напряжение пробоя управляющего pn-перехода затвора в полевых JFET полевых транзисторах. Затвор по отношению к каналу и соответственно к стоку в jfet по сути является диодом и все его свйоства и характеристики имеют место и влияют на режимы работы транзистора. Измерение напряжения пробоя проводится при заземленном стоке, соедененном перемычкой с истоком, при подаче на затвор обратного напряжения.
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) (Ток стока @ Vds (Vgs=0)) — Ток истока, измеряемый при нулевом напряжении на затворе и указанном напряжении сток-исток. Характеризует силу тока при отсутствии какого либо вляиния затвора.
Current Drain (Id) - Max (Ток стока макс (Id)) — Макимальный ток истока, при котором компонент сохраняет работоспособность. В открытом состоянии канал имеет минимальное сопротивление, но его достаточно для нагрева канала от проходящего через него тока. Температура канала зависит от способности отвода тепла через корпус, выводы, радитор, но так или иначе данный параметр следует учитывать при проектировании
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id (Напряжение отсечки (VGS off) @ Id) — Напряжение на затворе, при котором проводящий канал максимально обедняется носителями заряда и через канал протекает минимальный ток.