• Ток коллектора (макс)
  • Граничное напряжение КЭ(макс)
  • Мощность - Макс.
    • Тип корпуса
    • Входной каскад
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 8948
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Конфигурация
Рабочая температура
Тип корпуса
Входной каскад
IGBT Type
Обратный ток коллектора
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
Input Capacitance (Cies) @ Vce
Input
Test Condition
Current - Collector Pulsed (Icm)
Время обратного восстановления (trr)
NTC Thermistor
Switching Energy
Gate Charge
Td (on/off) @ 25°C
Серия
IRG4RC10SDTRPBFBTMA1 IGBT 600V 14A 38W DPAK Infineon Technologies TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 14A 600V 38W Surface Mount -55°C ~ 150°C (TJ) D-PAK (TO-252AA) Standard 1.8V @ 15V, 8A 480V, 8A, 100Ohm, 15V 18A 28ns 310µJ (on), 3.28mJ (off) 15nC 76ns/815ns HEXFRED®
IRG4BC20UD-STRR IGBT 600V 13A 60W D2PAK Infineon Technologies TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 13A 600V 60W Surface Mount -55°C ~ 150°C (TJ) D2PAK Standard 2.1V @ 15V, 6.5A 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V 52A 37ns 160µJ (on), 130µJ (off) 27nC 39ns/93ns
IRG4PC50U IGBT 600V 55A 200W TO247AC Infineon Technologies TO-247-3 55A 600V 200W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-247AC Standard 2V @ 15V, 27A 480V, 27A, 5Ohm, 15V 220A 120µJ (on), 540µJ (off) 180nC 32ns/170ns
IRGB30B60K IGBT 600V 78A 370W TO220AB Infineon Technologies TO-220-3 78A 600V 370W Through Hole -55°C ~ 175°C (TJ) TO-220AB Standard NPT 2.35V @ 15V, 30A 400V, 30A, 10Ohm, 15V 120A 350µJ (on), 825µJ (off) 102nC 46ns/185ns
IRG4RC10SDTRPBF-IR STANDARD SPEED COPACK IGBT W/ULT International Rectifier
IXBH6N170 IGBT 1700V 12A 75W TO247AD IXYS TO-247-3 12A 1700V 75W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-247AD Standard 3.4V @ 15V, 6A 36A 1.08µs 17nC BIMOSFET™
MIXA80W1200TEH IGBT MODULE 1200V 120A 390W E3 IXYS E3 120A 1200V 390W Chassis Mount Three Phase Inverter with Brake -40°C ~ 125°C (TJ) E3 PT 200µA 2.2V @ 15V, 77A Standard Yes
IXGR80N60B IGBT 600V ISOPLUS247 IXYS TO-247-3 600V Through Hole ISOPLUS247™ Standard
MMIX1G120N120A3V1 IGBT 1200V 220A 400W SMPD IXYS 24-PowerSMD, 21 Leads 220A 1200V 400W Surface Mount -55°C ~ 150°C (TJ) 24-SMPD Standard PT 2.2V @ 15V, 100A 960V, 100A, 1Ohm, 15V 700A 700ns 10mJ (on), 33mJ (off) 420nC 40ns/490ns GenX3™
APT40GT60BRG IGBT 600V 80A 345W TO247 Microchip Technology TO-247-3 80A 600V 345W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-247 [B] Standard NPT 2.5V @ 15V, 40A 400V, 40A, 5Ohm, 15V 160A 828µJ (off) 200nC 12ns/124ns Thunderbolt IGBT®
APT35GA90B IGBT 900V 63A 290W TO-247 Microchip Technology TO-247-3 63A 900V 290W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-247 [B] Standard PT 3.1V @ 15V, 18A 600V, 18A, 10Ohm, 15V 105A 642µJ (on), 382µJ (off) 84nC 12ns/104ns POWER MOS 8™
RGTV00TS65GC11 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT Rohm Semiconductor TO-247-3 95A 650V 276W Through Hole -40°C ~ 175°C (TJ) TO-247N Standard Trench Field Stop 1.9V @ 15V, 50A 400V, 50A, 10Ohm, 15V 200A 1.17mJ (on), 940µJ (off) 104nC 41ns/142ns
RGW00TS65EHRC11 HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE, Rohm Semiconductor TO-247-3 96A 650V 254W Through Hole -40°C ~ 175°C (TJ) TO-247N Standard Trench Field Stop 1.9V @ 15V, 50A 400V, 25A, 10Ohm, 15V 200A 90ns 141nC 50ns/183ns
STGB30H60DF IGBT 600V 60A 260W D2PAK STMicroelectronics TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 60A 600V 260W Surface Mount -40°C ~ 175°C (TJ) D2PAK Standard Trench Field Stop 2.4V @ 15V, 30A 400V, 30A, 10Ohm, 15V 120A 110ns 350µJ (on), 400µJ (off) 105nC 50ns/160ns
STGY80H65DFB IGBT 650V 120A 469W MAX247 STMicroelectronics TO-247-3 120A 650V 469W Through Hole -55°C ~ 175°C (TJ) MAX247™ Standard Trench Field Stop 2V @ 15V, 80A 400V, 80A, 10Ohm, 15V 240A 85ns 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) 414nC 84ns/280ns
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

IGBT означает биполярный транзистор с изолированным затвором. Это силовой транзистор, сочетающий в себе входной МОП-транзистор и выходной биполярный транзистор. Полевой транзистор образует канал управления по напряжению, биполярный транзистор ‐ силовой канал, выдерживающий высокие токи без перегрева. Быстродействие силовых элементов с изолированным затвором превосходит скорость коммутации биполярных транзисторов, но уступает элементам MOSFET.

IGBT — это транзистор, идеально подходящий для применения в высоковольтных и сильноточных цепях. Выпускаются транзисторы с номинальным напряжением от 400 В до 2000 В и номинальным током от 5 А до 1000 А. IGBT широко используются в промышленных схемах управления, таких как инверторные системы и источники бесперебойного питания (ИБП); в бытовой сфере: кондиционеры и индукционные плиты; а также в современном автомобилестроении - в контроллерах двигателей электромобилей (EV).

IGBT с напряжением до 6 кВольт и током до 4500 Ампер применяются в железнодорожном транспорте, в линиях передачи высокого напряжения постоянного тока (HVDC) и других высоковольтных устройствах.

Для снижения количества внешних элементов выпускают модули на базе IGBT. Они могут содержать дополнительные транзисторы, диоды и другие компоненты. Такая конструкция облегчает ремонт преобразователей, позволяет наращивать мощность устройств путем установки дополнительных модулей или их параллельного соединения.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.