Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IC(MAX) 114A

    • Тип корпуса
    • Input Type
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 6
  • VS-50MT060WHTAPBF
    IGBT MODULE 600V 114A 658W MTP
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 12-MTP Module
    • Тип корпуса: MTP
    • Конфигурация: Half Bridge
    • Мощность - Макс.: 658W
    • Ток коллектора (макс): 114A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 400µA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 100A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.1nF @ 30V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 50MT060WH
    IGBT MODULE 600V 114A 658W 12MTP
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 12-MTP Module
    • Тип корпуса: 12-MTP
    • Конфигурация: Half Bridge
    • Мощность - Макс.: 658W
    • Ток коллектора (макс): 114A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 400µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: PT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 100A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.1nF @ 30V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RGSX5TS65HRC11
    8S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247N
    • Мощность - Макс.: 404W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 114A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 225A
    • Switching Energy: 3.32mJ (on), 1.9mJ (off)
    • Gate Charge: 79nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 43ns/113ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RGSX5TS65DHRC11
    8S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247N
    • Время обратного восстановления (trr): 114ns
    • Мощность - Макс.: 404W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 114A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 225A
    • Switching Energy: 3.32mJ (on), 1.9mJ (off)
    • Gate Charge: 79nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 43ns/113ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RGSX5TS65EGC11
    8S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247N
    • Время обратного восстановления (trr): 116 ns
    • Мощность - Макс.: 404W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 114A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 225A
    • Switching Energy: 3.44mJ (on), 1.9mJ (off)
    • Gate Charge: 79nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 43ns/113ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RGSX5TS65EHRC11
    8S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247N
    • Время обратного восстановления (trr): 116 ns
    • Мощность - Макс.: 404W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 114A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 225A
    • Switching Energy: 3.44mJ (on), 1.9mJ (off)
    • Gate Charge: 79nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 43ns/113ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100