Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IC(MAX) 112A
-
- Тип корпуса
- Input Type
- IGBT Type
- Обратный ток коллектора
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
- Input Capacitance (Cies) @ Vce
- Input
- Test Condition
- Current - Collector Pulsed (Icm)
- Время обратного восстановления (trr)
- NTC Thermistor
- Switching Energy
- Gate Charge
- Td (on/off) @ 25°C
- Серия
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-227-4
- Тип корпуса: SOT-227
- Конфигурация: Single
- Мощность - Макс.: 543W
- Ток коллектора (макс): 112A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 1.1mA
- Input: Standard
- IGBT Type: NPT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.26nF @ 25V
- NTC Thermistor: No
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-227-4
- Тип корпуса: SOT-227
- Конфигурация: Single
- Мощность - Макс.: 543W
- Ток коллектора (макс): 112A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 1mA
- Input: Standard
- IGBT Type: NPT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.26nF @ 25V
- NTC Thermistor: No
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-227-4
- Тип корпуса: SOT-227
- Конфигурация: Single
- Мощность - Макс.: 543W
- Ток коллектора (макс): 112A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 1.1mA
- Input: Standard
- IGBT Type: NPT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.26nF @ 25V
- NTC Thermistor: No
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: POWER MOS 8™
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: ISOTOP®
- Конфигурация: Single
- Мощность - Макс.: 356W
- Ток коллектора (макс): 112A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Обратный ток коллектора: 275µA
- Input: Standard
- IGBT Type: PT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 62A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.01nF @ 25V
- NTC Thermistor: No
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-227-4
- Тип корпуса: SOT-227
- Конфигурация: Single
- Мощность - Макс.: 543W
- Ток коллектора (макс): 112A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 1mA
- Input: Standard
- IGBT Type: NPT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.26nF @ 25V
- NTC Thermistor: No
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100