• Ток коллектора (макс)
  • Граничное напряжение КЭ(макс)
  • Мощность - Макс.
    • Тип корпуса
    • Входной каскад
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 8948
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Конфигурация
Рабочая температура
Тип корпуса
Входной каскад
IGBT Type
Обратный ток коллектора
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
Input Capacitance (Cies) @ Vce
Input
Test Condition
Current - Collector Pulsed (Icm)
Время обратного восстановления (trr)
NTC Thermistor
Switching Energy
Gate Charge
Td (on/off) @ 25°C
Серия
IRG4PSC71KD IGBT 600V 85A 350W SUPER247 Infineon Technologies TO-274AA 85A 600V 350W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) SUPER-247™ (TO-274AA) Standard 2.3V @ 15V, 60A 480V, 60A, 5Ohm, 15V 200A 82ns 3.95mJ (on), 2.33mJ (off) 340nC 82ns/282ns
FZ800R12KS4B2NOSA1 IGBT MOD 1200V 1200A 7600W Infineon Technologies Module 1200A 1200V 7600W Chassis Mount Single -40°C ~ 125°C Module 5mA 3.7V @ 15V, 800A 52nF @ 25V Standard No
MIXA10W1200TMH IGBT MOD 1200V 17A 65W MINIPACK2 IXYS MiniPack2 17A 1200V 65W Chassis Mount Three Phase Inverter -40°C ~ 125°C (TJ) MiniPack2 PT 150µA 2.1V @ 15V, 9A Standard Yes
MG1275W-XN2MM IGBT MOD 1200V 105A 368W Littelfuse Inc. Module 105A 1200V 368W Chassis Mount Three Phase Inverter -40°C ~ 125°C (TJ) Module Trench Field Stop 1mA 1.7V @ 15V, 75A 5.3nF @ 25V Standard Yes
APTGL90DH120T3G IGBT MODULE 1200V 110A 385W SP3 Microsemi Corporation SP3 110A 1200V 385W Chassis Mount Asymmetrical Bridge -40°C ~ 175°C (TJ) SP3 Trench Field Stop 250µA 2.2V @ 15V, 75A 4.4nF @ 25V Standard Yes
AFGHL50T65SQD AEC 101 QUALIFIED, 650V, 50A FIE onsemi TO-247-3 80A 650V 268W Through Hole -55°C ~ 175°C (TJ) TO-247-3 Standard Trench Field Stop 2.1V @ 15V, 50A 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V 200A 950µJ (on), 460µJ (off) 102nC 20ns/81ns Automotive, AEC-Q101
FGH40N60UFDTU IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3 onsemi TO-247-3 80A 600V 290W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-247-3 Standard Field Stop 2.4V @ 15V, 40A 400V, 40A, 10Ohm, 15V 120A 45ns 1.19mJ (on), 460µJ (off) 120nC 24ns/112ns
TIG032TS-TL-H NCH IGBT 180A 400V 2.5V onsemi
FGA50N100BNTTU IGBT, 50A, 1000V, N-CHANNEL Rochester Electronics, LLC TO-3P-3, SC-65-3 50A 1V 156W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-3P Standard NPT and Trench 2.9V @ 15V, 60A 600V, 60A, 10Ohm, 15V 200A 257nC 34ns/243ns
FZ30R07W1E3B31ABOMA1 IGBT MODULE Rochester Electronics, LLC
DDB2U30N08VRBOMA1307 IGBT MODULE Rochester Electronics, LLC
IGB30N60H3XKSA1 HIGH SPEED 600V, 30A IGBT Rochester Electronics, LLC
GHIS030A120S-A2 IGBT MOD 1200V 60A 340W SOT227 SemiQ SOT-227-4, miniBLOC 60A 1200V 340W Chassis Mount Single -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-227 Trench Field Stop 1mA 2.5V @ 15V, 30A 4nF @ 30V Standard No
A2C50S65M2 IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK2 STMicroelectronics Module 50A 650V 208W Chassis Mount Three Phase Inverter with Brake -40°C ~ 150°C (TJ) ACEPACK™ 2 Trench Field Stop 100µA 2.3V @ 15V, 50A 4.15nF @ 25V Three Phase Bridge Rectifier Yes
VS-GA200SA60SP IGBT MODULE 600V 781W SOT227 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SOT-227-4, miniBLOC 600V 781W Chassis Mount Single -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-227 1mA 1.3V @ 15V, 100A 16.25nF @ 30V Standard No
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

IGBT означает биполярный транзистор с изолированным затвором. Это силовой транзистор, сочетающий в себе входной МОП-транзистор и выходной биполярный транзистор. Полевой транзистор образует канал управления по напряжению, биполярный транзистор ‐ силовой канал, выдерживающий высокие токи без перегрева. Быстродействие силовых элементов с изолированным затвором превосходит скорость коммутации биполярных транзисторов, но уступает элементам MOSFET.

IGBT — это транзистор, идеально подходящий для применения в высоковольтных и сильноточных цепях. Выпускаются транзисторы с номинальным напряжением от 400 В до 2000 В и номинальным током от 5 А до 1000 А. IGBT широко используются в промышленных схемах управления, таких как инверторные системы и источники бесперебойного питания (ИБП); в бытовой сфере: кондиционеры и индукционные плиты; а также в современном автомобилестроении - в контроллерах двигателей электромобилей (EV).

IGBT с напряжением до 6 кВольт и током до 4500 Ампер применяются в железнодорожном транспорте, в линиях передачи высокого напряжения постоянного тока (HVDC) и других высоковольтных устройствах.

Для снижения количества внешних элементов выпускают модули на базе IGBT. Они могут содержать дополнительные транзисторы, диоды и другие компоненты. Такая конструкция облегчает ремонт преобразователей, позволяет наращивать мощность устройств путем установки дополнительных модулей или их параллельного соединения.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.