Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IC(MAX) 113A Pmax 625W
-
- Тип корпуса
- Input Type
- IGBT Type
- Обратный ток коллектора
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
- Input Capacitance (Cies) @ Vce
- Input
- Test Condition
- Current - Collector Pulsed (Icm)
- Время обратного восстановления (trr)
- NTC Thermistor
- Switching Energy
- Gate Charge
- Td (on/off) @ 25°C
- Серия
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: POWER MOS 7®
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3 Variant
- Мощность - Макс.: 625W
- Input Type: Standard
- Ток коллектора (макс): 113A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Test Condition: 600V, 45A, 5Ohm, 15V
- IGBT Type: PT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 170A
- Switching Energy: 900µJ (on), 905µJ (off)
- Gate Charge: 185nC
- Td (on/off) @ 25°C: 18ns/100ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: POWER MOS 7®
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3 Variant
- Мощность - Макс.: 625W
- Input Type: Standard
- Ток коллектора (макс): 113A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Test Condition: 600V, 45A, 5Ohm, 15V
- IGBT Type: PT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 170A
- Switching Energy: 900µJ (on), 905µJ (off)
- Gate Charge: 185nC
- Td (on/off) @ 25°C: 18ns/100ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100