-
- Тип корпуса
- Входной каскад
- IGBT Type
- Обратный ток коллектора
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
- Input Capacitance (Cies) @ Vce
- Input
- Test Condition
- Current - Collector Pulsed (Icm)
- Время обратного восстановления (trr)
- NTC Thermistor
- Switching Energy
- Gate Charge
- Td (on/off) @ 25°C
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Ток коллектора (макс)
|
Граничное напряжение КЭ(макс)
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Рабочая температура
|
Входной каскад
|
IGBT Type
|
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
|
Test Condition
|
Current - Collector Pulsed (Icm)
|
Switching Energy
|
Gate Charge
|
Td (on/off) @ 25°C
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| APT45GP120B2DQ2G | IGBT 1200V 113A 625W TMAX | Microchip Technology | TO-247-3 Variant | 113A | 1200V | 625W | Through Hole | -55°C ~ 150°C (TJ) | Standard | PT | 3.9V @ 15V, 45A | 600V, 45A, 5Ohm, 15V | 170A | 900µJ (on), 905µJ (off) | 185nC | 18ns/100ns | POWER MOS 7® |
| APT45GP120B2DQ2G | IGBT 1200V 113A 625W TMAX | Microsemi Corporation | TO-247-3 Variant | 113A | 1200V | 625W | Through Hole | -55°C ~ 150°C (TJ) | Standard | PT | 3.9V @ 15V, 45A | 600V, 45A, 5Ohm, 15V | 170A | 900µJ (on), 905µJ (off) | 185nC | 18ns/100ns | POWER MOS 7® |
- 10
- 15
- 50
- 100