Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IC(MAX) 100A Pmax 268W

    • Тип корпуса
    • Input Type
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 5
  • FGA5065ADF
    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
    • Тип корпуса: TO-3PN
    • Время обратного восстановления (trr): 31.8ns
    • Мощность - Макс.: 268W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 100A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 150A
    • Switching Energy: 1.35mJ (on), 309µJ (off)
    • Gate Charge: 72.2nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 20.8ns/62.4ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FGA5065ADF
    IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PN
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
    • Тип корпуса: TO-3PN
    • Время обратного восстановления (trr): 31.8ns
    • Мощность - Макс.: 268W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 100A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 150A
    • Switching Energy: 1.35mJ (on), 309µJ (off)
    • Gate Charge: 72.2nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 20.8ns/62.4ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FGHL50T65SQDT
    IGBT, 650 V, 50 A FIELD STOP TRE
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Мощность - Макс.: 268W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 100A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 200A
    • Switching Energy: 223µJ (on), 91.13µJ (off)
    • Gate Charge: 99.7 nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 22.8ns/70ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FGHL50T65SQ
    FS4TIGBT TO247 50A 650V
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Мощность - Макс.: 268W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 100A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 25A, 4.7Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 200A
    • Switching Energy: 410µJ (on), 88µJ (off)
    • Gate Charge: 99nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 19ns/93ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FGH50T65SQD-F155
    IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Время обратного восстановления (trr): 31ns
    • Мощность - Макс.: 268W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 100A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 200A
    • Switching Energy: 180µJ (on), 45µJ (off)
    • Gate Charge: 99nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 22ns/105ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100