• Тип корпуса
    • Входной каскад
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 5
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Рабочая температура
Тип корпуса
Входной каскад
IGBT Type
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
Test Condition
Current - Collector Pulsed (Icm)
Время обратного восстановления (trr)
Switching Energy
Gate Charge
Td (on/off) @ 25°C
FGA5065ADF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Fairchild Semiconductor TO-3P-3, SC-65-3 100A 650V 268W Through Hole -55°C ~ 175°C (TJ) TO-3PN Standard Trench Field Stop 2.2V @ 15V, 50A 400V, 50A, 6Ohm, 15V 150A 31.8ns 1.35mJ (on), 309µJ (off) 72.2nC 20.8ns/62.4ns
FGA5065ADF IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PN onsemi TO-3P-3, SC-65-3 100A 650V 268W Through Hole -55°C ~ 175°C (TJ) TO-3PN Standard Trench Field Stop 2.2V @ 15V, 50A 400V, 50A, 6Ohm, 15V 150A 31.8ns 1.35mJ (on), 309µJ (off) 72.2nC 20.8ns/62.4ns
FGHL50T65SQDT IGBT, 650 V, 50 A FIELD STOP TRE onsemi TO-247-3 100A 650V 268W Through Hole -55°C ~ 175°C (TJ) TO-247-3 Standard Trench Field Stop 2.1V @ 15V, 50A 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V 200A 223µJ (on), 91.13µJ (off) 99.7 nC 22.8ns/70ns
FGHL50T65SQ FS4TIGBT TO247 50A 650V onsemi TO-247-3 100A 650V 268W Through Hole -55°C ~ 175°C (TJ) TO-247-3 Standard 2.1V @ 15V, 50A 400V, 25A, 4.7Ohm, 15V 200A 410µJ (on), 88µJ (off) 99nC 19ns/93ns
FGH50T65SQD-F155 IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3 onsemi TO-247-3 100A 650V 268W Through Hole -55°C ~ 175°C (TJ) TO-247-3 Standard Trench Field Stop 2.1V @ 15V, 50A 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V 200A 31ns 180µJ (on), 45µJ (off) 99nC 22ns/105ns
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100