• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247-3
• Время обратного восстановления (trr): 67ns
• Мощность - Макс.: 284W
• Входной каскад: Standard
• Ток коллектора (макс): 110A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
• Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 30A
• Current - Collector Pulsed (Icm): 130A
• Switching Energy: 250µJ (on), 4.2mJ (off)
• Gate Charge: 200nC
• Td (on/off) @ 25°C: 50ns/220ns

• Производитель: IXYS
• Серия: XPT™, GenX4™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247 (IXTH)
• Время обратного восстановления (trr): 62ns
• Мощность - Макс.: 455W
• Входной каскад: Standard
• Ток коллектора (макс): 110A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
• Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
• IGBT Type: PT
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
• Current - Collector Pulsed (Icm): 215A
• Switching Energy: 1.6mJ (on), 420µJ (off)
• Gate Charge: 68nC
• Td (on/off) @ 25°C: 20ns/100ns

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: Thunderbolt IGBT®
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247 [B]
• Мощность - Макс.: 446W
• Входной каскад: Standard
• Ток коллектора (макс): 110A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
• Test Condition: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
• IGBT Type: NPT
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
• Current - Collector Pulsed (Icm): 150A
• Switching Energy: 995µJ (on), 1070µJ (off)
• Gate Charge: 240nC
• Td (on/off) @ 25°C: 14ns/240ns

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SP4
• Тип корпуса: SP4
• Конфигурация: Single
• Мощность - Макс.: 357W
• Ток коллектора (макс): 110A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
• Обратный ток коллектора: 250µA
• Input: Standard
• IGBT Type: Trench Field Stop
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
• Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
• NTC Thermistor: Yes

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SP3
• Тип корпуса: SP3
• Конфигурация: Asymmetrical Bridge
• Мощность - Макс.: 357W
• Ток коллектора (макс): 110A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
• Обратный ток коллектора: 250µA
• Input: Standard
• IGBT Type: Trench Field Stop
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
• Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
• NTC Thermistor: Yes

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: SP1
• Тип корпуса: SP1
• Конфигурация: Single
• Мощность - Макс.: 385W
• Ток коллектора (макс): 110A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
• Обратный ток коллектора: 250µA
• Input: Standard
• IGBT Type: Trench Field Stop
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
• Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
• NTC Thermistor: Yes

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: SP3
• Тип корпуса: SP3
• Конфигурация: Full Bridge
• Мощность - Макс.: 385W
• Ток коллектора (макс): 110A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
• Обратный ток коллектора: 250µA
• Input: Standard
• IGBT Type: Trench Field Stop
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
• Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
• NTC Thermistor: Yes

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D2PAK
• Мощность - Макс.: 255W
• Входной каскад: Standard
• Ток коллектора (макс): 110A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
• Test Condition: 180V, 35A, 10Ohm
• IGBT Type: Trench
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
• Gate Charge: 132nC
• Td (on/off) @ 25°C: 44ns/245ns

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Package / Case: SP1
• Тип корпуса: SP1
• Конфигурация: Single
• Мощность - Макс.: 416W
• Ток коллектора (макс): 110A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
• Обратный ток коллектора: 250µA
• Input: Standard
• IGBT Type: NPT
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A
• Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
• NTC Thermistor: Yes

• Производитель: Microsemi Corporation
• Серия: Thunderbolt IGBT®
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247 [B]
• Время обратного восстановления (trr): 22ns
• Мощность - Макс.: 446W
• Входной каскад: Standard
• Ток коллектора (макс): 110A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
• Test Condition: 400V, 50A, 5Ohm, 15V
• IGBT Type: NPT
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
• Current - Collector Pulsed (Icm): 150A
• Switching Energy: 995µJ (on), 1070µJ (off)
• Gate Charge: 240nC
• Td (on/off) @ 25°C: 14ns/240ns

• Производитель: IXYS
• Серия: BIMOSFET™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3 Variant
• Тип корпуса: PLUS247™-3
• Время обратного восстановления (trr): 360ns
• Мощность - Макс.: 1040W
• Входной каскад: Standard
• Ток коллектора (макс): 110A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 1700V
• Test Condition: 1360V, 42A, 1Ohm, 15V
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 42A
• Current - Collector Pulsed (Icm): 300A
• Switching Energy: 3.8mJ (off)
• Gate Charge: 358nC
• Td (on/off) @ 25°C: 26ns/418ns

• Производитель: IXYS
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
• Package / Case: E2
• Тип корпуса: E2
• Конфигурация: Three Phase Inverter
• Мощность - Макс.: 355W
• Ток коллектора (макс): 110A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
• Обратный ток коллектора: 4mA
• Input: Standard
• IGBT Type: Trench
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
• Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.35nF @ 25V
• NTC Thermistor: Yes

• Производитель: IXYS
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
• Тип корпуса: SOT-227B
• Конфигурация: Single
• Мощность - Макс.: 500W
• Ток коллектора (макс): 110A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
• Обратный ток коллектора: 1mA
• Input: Standard
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 55A
• Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8nF @ 25V
• NTC Thermistor: No

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: Module
• Конфигурация: Asymmetrical Bridge
• Мощность - Макс.: 375W
• Ток коллектора (макс): 110A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
• Обратный ток коллектора: 25µA
• Input: Standard
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
• Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.77nF @ 25V
• NTC Thermistor: Yes

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SP4
• Тип корпуса: SP4
• Конфигурация: Full Bridge Inverter
• Мощность - Макс.: 357W
• Ток коллектора (макс): 110A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
• Обратный ток коллектора: 250µA
• Input: Standard
• IGBT Type: Trench Field Stop
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
• Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
• NTC Thermistor: Yes