- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
- Мощность - Макс.
-
- Тип корпуса
- Входной каскад
- IGBT Type
- Обратный ток коллектора
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
- Input Capacitance (Cies) @ Vce
- Input
- Test Condition
- Current - Collector Pulsed (Icm)
- Время обратного восстановления (trr)
- NTC Thermistor
- Switching Energy
- Gate Charge
- Td (on/off) @ 25°C
- Серия
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: SP3
- Тип корпуса: SP3
- Конфигурация: Asymmetrical Bridge
- Мощность - Макс.: 385W
- Ток коллектора (макс): 110A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 250µA
- Input: Standard
- IGBT Type: Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: SP1
- Тип корпуса: SP1
- Конфигурация: Half Bridge
- Мощность - Макс.: 416W
- Ток коллектора (макс): 110A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Обратный ток коллектора: 250µA
- Input: Standard
- IGBT Type: NPT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SP4
- Тип корпуса: SP4
- Конфигурация: Full Bridge Inverter
- Мощность - Макс.: 416W
- Ток коллектора (макс): 110A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Обратный ток коллектора: 250µA
- Input: Standard
- IGBT Type: NPT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SP3
- Тип корпуса: SP3
- Конфигурация: Asymmetrical Bridge
- Мощность - Макс.: 357W
- Ток коллектора (макс): 110A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 250µA
- Input: Standard
- IGBT Type: Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: SP1
- Тип корпуса: SP1
- Конфигурация: Single
- Мощность - Макс.: 385W
- Ток коллектора (макс): 110A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 250µA
- Input: Standard
- IGBT Type: Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: SOT-227B
- Конфигурация: Single
- Мощность - Макс.: 500W
- Ток коллектора (макс): 110A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 1mA
- Input: Standard
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 55A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8nF @ 25V
- NTC Thermistor: No
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Thunderbolt IGBT®
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247 [B]
- Время обратного восстановления (trr): 22ns
- Мощность - Макс.: 446W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 110A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Test Condition: 400V, 50A, 5Ohm, 15V
- IGBT Type: NPT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 150A
- Switching Energy: 995µJ (on), 1070µJ (off)
- Gate Charge: 240nC
- Td (on/off) @ 25°C: 14ns/240ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: SP1
- Тип корпуса: SP1
- Конфигурация: Half Bridge
- Мощность - Макс.: 385W
- Ток коллектора (макс): 110A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 250µA
- Input: Standard
- IGBT Type: Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: D1
- Тип корпуса: D1
- Конфигурация: Half Bridge
- Мощность - Макс.: 357W
- Ток коллектора (макс): 110A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 4mA
- Input: Standard
- IGBT Type: Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.345 nF @ 25 V
- NTC Thermistor: No
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SP4
- Тип корпуса: SP4
- Конфигурация: Half Bridge
- Мощность - Макс.: 416W
- Ток коллектора (макс): 110A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Обратный ток коллектора: 250µA
- Input: Standard
- IGBT Type: NPT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: SP3
- Тип корпуса: SP3
- Конфигурация: Dual Boost Chopper
- Мощность - Макс.: 385W
- Ток коллектора (макс): 110A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 250µA
- Input: Standard
- IGBT Type: Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: Module
- Конфигурация: Full Bridge
- Мощность - Макс.: 375W
- Ток коллектора (макс): 110A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 25µA
- Input: Standard
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.77nF @ 25V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: SP3
- Тип корпуса: SP3
- Конфигурация: Asymmetrical Bridge
- Мощность - Макс.: 416W
- Ток коллектора (макс): 110A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Обратный ток коллектора: 250µA
- Input: Standard
- IGBT Type: NPT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SP4
- Тип корпуса: SP4
- Конфигурация: Full Bridge Inverter
- Мощность - Макс.: 357W
- Ток коллектора (макс): 110A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 250µA
- Input: Standard
- IGBT Type: Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SP1
- Тип корпуса: SP1
- Конфигурация: Half Bridge
- Мощность - Макс.: 357W
- Ток коллектора (макс): 110A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 250µA
- Input: Standard
- IGBT Type: Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100