- Тип корпуса
- Производитель
- Выходная мощность
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Выходная мощность
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Номинальный ток
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Усиление
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A2T27S007NT1 | A2T27S007 - 400-2700 MHZ, 28.8 D | NXP Semiconductors | 16-DFN (4x6) | 28.8dBm | 400MHz ~ 2.7GHz | 65V | 10µA | 16-VDFN Exposed Pad | LDMOS | 18.9dB | 28V | 60mA |
| MHT1108NT1 | RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO | NXP USA Inc. | 16-DFN (4x6) | 12.5W | 2.45GHz | 65V | 10µA | 16-VDFN Exposed Pad | LDMOS | 18.6dB | 32V | 110mA |
| A2T27S007NT1 | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO | NXP USA Inc. | 16-DFN (4x6) | 28.8dBm | 728MHz ~ 3.6GHz | 28V | 16-VDFN Exposed Pad | LDMOS | ||||
| AFM907NT1 | RF MOSFET LDMOS 7.5V 10-DFN | NXP USA Inc. | 16-DFN (4x6) | 8.4W | 136MHz ~ 941MHz | 30V | 10µA | 16-VDFN Exposed Pad | LDMOS | 10.8V | 100mA | |
| AFM906NT1 | RF MOSFET LDMOS 10.8V 16DFN | NXP USA Inc. | 16-DFN (4x6) | 6.8W | 136MHz ~ 941MHz | 30V | 2µA | 16-VDFN Exposed Pad | LDMOS | 10.8V | 100mA |
- 10
- 15
- 50
- 100