• Тип корпуса
  • Производитель
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 5
  • A2T27S007NT1
    A2T27S007 - 400-2700 MHZ, 28.8 D
    NXP Semiconductors
    • Производитель: NXP Semiconductors
    • Package / Case: 16-VDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 16-DFN (4x6)
    • Частота: 400MHz ~ 2.7GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 60mA
    • Выходная мощность: 28.8dBm
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18.9dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MHT1108NT1
    RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: 16-VDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 16-DFN (4x6)
    • Частота: 2.45GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 110mA
    • Выходная мощность: 12.5W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18.6dB
    • Voltage - Test: 32V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • A2T27S007NT1
    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: 16-VDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 16-DFN (4x6)
    • Частота: 728MHz ~ 3.6GHz
    • Номинальное напряжение: 28V
    • Выходная мощность: 28.8dBm
    • Тип транзистора: LDMOS
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AFM907NT1
    RF MOSFET LDMOS 7.5V 10-DFN
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: 16-VDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 16-DFN (4x6)
    • Частота: 136MHz ~ 941MHz
    • Номинальное напряжение: 30V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 8.4W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Voltage - Test: 10.8V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AFM906NT1
    RF MOSFET LDMOS 10.8V 16DFN
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: 16-VDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 16-DFN (4x6)
    • Частота: 136MHz ~ 941MHz
    • Номинальное напряжение: 30V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 6.8W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Voltage - Test: 10.8V
    • Номинальный ток: 2µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100