• Выходная мощность
  • Производитель
  • Тип корпуса
  • Номинальное напряжение
Найдено: 95
  • RF FET LDMOS 75V 12.5DB SOT467C
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-467C
    • Тип корпуса: SOT467C
    • Частота: 2GHz
    • Номинальное напряжение: 75V
    • Current - Test: 85mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 12.5dB
    • Voltage - Test: 26V
    • Номинальный ток: 2.2A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 110V 220MHZ TO270-2
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270AA
    • Тип корпуса: TO-270-2
    • Частота: 220MHz
    • Номинальное напряжение: 110V
    • Current - Test: 30mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 23.9dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 68V 2.17GHZ TO270G-2
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270BA
    • Тип корпуса: TO-270-2 GULL
    • Частота: 2.17GHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 130mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 15.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Package / Case: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
    • Тип корпуса: PowerSO-10RF (Straight Lead)
    • Частота: 2GHz
    • Номинальное напряжение: 40V
    • Current - Test: 150mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 11dB
    • Voltage - Test: 13.6V
    • Номинальный ток: 5A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BLP15H9S10G/SOT1483/REELDP
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Серия: BLP
    • Package / Case: SOT-1483-1
    • Тип корпуса: SOT1483-1
    • Частота: 1.4GHz
    • Номинальное напряжение: 104V
    • Current - Test: 60mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
    • Усиление: 22dB
    • Voltage - Test: 50V
    • Номинальный ток: 1.4µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 110V 220MHZ TO-270G-2
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270BA
    • Тип корпуса: TO-270G-2
    • Частота: 220MHz
    • Номинальное напряжение: 110V
    • Current - Test: 30mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 23.9dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF FET LDMOS 65V 11DB SOT467C
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-467C
    • Тип корпуса: SOT467C
    • Частота: 2.2GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 85mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 11dB
    • Voltage - Test: 26V
    • Номинальный ток: 2.2A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: GOLDMOS®
    • Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
    • Тип корпуса: PG-RFP-10
    • Частота: 1.99GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 180mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 16.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF S BAND, N-CHANNEL
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: NI-360
    • Тип корпуса: NI-360
    • Частота: 2.17GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 13.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 68V 960MHZ TO270-2
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270AA
    • Тип корпуса: TO-270-2
    • Частота: 960MHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 125mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 40V 870MHZ
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Package / Case: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
    • Тип корпуса: PowerSO-10RF (Formed Lead)
    • Частота: 870MHz
    • Номинальное напряжение: 40V
    • Current - Test: 300mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 17.3dB
    • Voltage - Test: 13.6V
    • Номинальный ток: 7A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 65V 2.17GHZ NI-360S
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-360S
    • Тип корпуса: NI-360S
    • Частота: 2.17GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 13.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 68V 880MHZ TO-272-2
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-272BC
    • Тип корпуса: TO-272-2
    • Частота: 880MHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 350mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 22.7dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12231
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-1223-1
    • Тип корпуса: 4-HSOPF
    • Частота: 1.88GHz ~ 1.92GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 300mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
    • Усиление: 17.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780HS-4
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-780S-4L
    • Тип корпуса: NI-780S-4L
    • Частота: 2.03GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 150mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 18.2dB
    • Voltage - Test: 32V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: