• Выходная мощность
  • Производитель
  • Тип корпуса
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 95
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
Серия
BLP10H610AZ RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN Ampleon USA Inc. 12-HVSON (6x5) 10W 860MHz 104V 12-VDFN Exposed Pad LDMOS (Dual), Common Source 22dB 50V 60mA
BLP10H610Z RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN Ampleon USA Inc. 12-HVSON (6x5) 10W 860MHz 104V 12-VDFN Exposed Pad LDMOS (Dual), Common Source 22dB 50V 60mA
BLA1011-10,112 RF FET LDMOS 75V 15DB SOT467C Ampleon USA Inc. SOT467C 10W 1.03GHz ~ 1.09GHz 75V 2.2A SOT-467C LDMOS 15dB 36V 50mA
BLF2043F,135 RF FET LDMOS 65V 11DB SOT467C Ampleon USA Inc. SOT467C 10W 2.2GHz 65V 2.2A SOT-467C LDMOS 11dB 26V 85mA
BLF1043 RF PFET, 1-ELEMENT, ULTRA HIGH F Ampleon USA Inc. 2-CSMD 10W 1GHz 65V 1.5µA SOT-538A LDMOS 18.5dB 26V 85mA BLF
MRF5P21045NR1 RF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor TO-270 WB-4 10W 2.11GHz ~ 2.17GHz 65V 10µA TO-270AB LDMOS (Dual) 14.5dB 28V 500mA
PTF080101M V1 IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 Infineon Technologies PG-RFP-10 10W 960MHz 65V 1µA 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) LDMOS 16dB 28V 180mA GOLDMOS®
CLF1G0060S-10U RF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA NXP USA Inc. SOT-1227B 10W 3GHz ~ 3.5GHz 150V SOT-1227B GaN HEMT 14.5dB 50V 50mA
MRF6V10010NR4 FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5 NXP USA Inc. PLD-1.5 10W 1.09GHz 100V PLD-1.5 LDMOS 25dB 50V 10mA
MRFE6S9045NR1 FET RF 66V 880MHZ TO-270-2 NXP USA Inc. TO-270-2 10W 880MHz 66V TO-270AA LDMOS 22.1dB 28V 350mA
MRF21045LSR5 FET RF 65V 2.17GHZ NI-400S NXP USA Inc. NI-400S 10W 2.16GHz ~ 2.17GHz 65V NI-400S LDMOS 15dB 28V 500mA
MRFG35010R1 FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF NXP USA Inc. NI-360HF 10W 3.55GHz 15V NI-360HF pHEMT FET 10dB 12V 180mA
MW6S010GMR1 FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW NXP USA Inc. TO-270-2 GULL 10W 960MHz 68V TO-270BA LDMOS 18dB 28V 125mA
MRF6V2010NBR5 FET RF 110V 220MHZ TO-272-2 NXP USA Inc. TO-272-2 10W 220MHz 110V TO-272BC LDMOS 23.9dB 50V 30mA
MRF21045LR5 FET RF 65V 2.17GHZ NI-400 NXP USA Inc. NI-400 10W 2.16GHz ~ 2.17GHz 65V NI-400 LDMOS 15dB 28V 500mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100