• Выходная мощность
  • Производитель
  • Тип корпуса
  • Номинальное напряжение
Найдено: 95
  • IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: GOLDMOS®
    • Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
    • Тип корпуса: PG-RFP-10
    • Частота: 960MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 180mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 16dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF FET LDMOS 75V 15DB SOT467C
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-467C
    • Тип корпуса: SOT467C
    • Частота: 1.03GHz ~ 1.09GHz
    • Номинальное напряжение: 75V
    • Current - Test: 50mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 15dB
    • Voltage - Test: 36V
    • Номинальный ток: 2.2A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 110V 220MHZ TO-272-2
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-272BC
    • Тип корпуса: TO-272-2
    • Частота: 220MHz
    • Номинальное напряжение: 110V
    • Current - Test: 30mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 23.9dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 65V 2.17GHZ NI-400S
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-400S
    • Тип корпуса: NI-400S
    • Частота: 2.16GHz ~ 2.17GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 500mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 15dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 66V 880MHZ TO-270-2
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270AA
    • Тип корпуса: TO-270-2
    • Частота: 880MHz
    • Номинальное напряжение: 66V
    • Current - Test: 350mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 22.1dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: PLD-1.5
    • Тип корпуса: PLD-1.5
    • Частота: 1.09GHz
    • Номинальное напряжение: 100V
    • Current - Test: 10mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 25dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: SOT-1227B
    • Тип корпуса: SOT-1227B
    • Частота: 3GHz ~ 3.5GHz
    • Номинальное напряжение: 150V
    • Current - Test: 50mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: GaN HEMT
    • Усиление: 14.5dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 12-HVSON (6x5)
    • Частота: 860MHz
    • Номинальное напряжение: 104V
    • Current - Test: 60mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
    • Усиление: 22dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 12-HVSON (6x5)
    • Частота: 860MHz
    • Номинальное напряжение: 104V
    • Current - Test: 60mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
    • Усиление: 22dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF PFET, 1-ELEMENT, ULTRA HIGH F
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Серия: BLF
    • Package / Case: SOT-538A
    • Тип корпуса: 2-CSMD
    • Частота: 1GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 85mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18.5dB
    • Voltage - Test: 26V
    • Номинальный ток: 1.5µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: TO-270AB
    • Тип корпуса: TO-270 WB-4
    • Частота: 2.11GHz ~ 2.17GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 500mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 14.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-360HF
    • Тип корпуса: NI-360HF
    • Частота: 3.55GHz
    • Номинальное напряжение: 15V
    • Current - Test: 180mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: pHEMT FET
    • Усиление: 10dB
    • Voltage - Test: 12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270BA
    • Тип корпуса: TO-270-2 GULL
    • Частота: 960MHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 125mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF FET LDMOS 65V 11DB SOT467C
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-467C
    • Тип корпуса: SOT467C
    • Частота: 2.2GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 85mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 11dB
    • Voltage - Test: 26V
    • Номинальный ток: 2.2A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 65V 2.17GHZ NI-400
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-400
    • Тип корпуса: NI-400
    • Частота: 2.16GHz ~ 2.17GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 500mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 15dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: