• Выходная мощность
  • Производитель
  • Тип корпуса
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 95
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
Серия
BLP15H9S10Z BLP15H9S10/SOT1482/REELDP Ampleon USA Inc. SOT-1482-1 10W 1.4GHz 104V 1.4µA SOT-1482-1 LDMOS (Dual), Common Source 22dB 50V 60mA BLP
CLF1G0060S-10U RF FET HEMT 150V 14.5DB SOT1227B Ampleon USA Inc. SOT1227B 10W 3GHz ~ 3.5GHz 150V SOT-1227B GaN HEMT 14.5dB 50V 50mA
BLF2043,112 RF FET LDMOS 75V 12.5DB SOT467C Ampleon USA Inc. SOT467C 10W 2GHz 75V 2.2A SOT-467C LDMOS 12.5dB 26V 85mA
BLF9G38-10GU RF MOSFET LDMOS SOT975C Ampleon USA Inc. CDFM2 10W 3.4GHz ~ 3.8GHz 28V SOT-975C LDMOS
MRF5S21045NBR1 RF S BAND, N-CHANNEL , TO-272 Freescale Semiconductor TO-272 WB-4 10W 2.12GHz 68V TO-272BB LDMOS 14.5dB 28V 500mA
PTF180101S V1 FET RF 65V 1.99GHZ H-32259-2 Infineon Technologies H-32259-2 10W 1.99GHz 65V 1µA H-32259-2 LDMOS 19dB 28V 180mA GOLDMOS®
MRF21045LR3 FET RF 65V 2.17GHZ NI-400 NXP USA Inc. NI-400-240 10W 2.17GHz 65V NI-400 LDMOS 15dB 28V 500mA
MRF5S21045NR1 FET RF 68V 2.12GHZ TO270-4 NXP USA Inc. TO-270 WB-4 10W 2.12GHz 68V TO-270AB LDMOS 14.5dB 28V 500mA
MRF21045LSR3 FET RF 65V 2.17GHZ NI-400S NXP USA Inc. NI-400S 10W 2.17GHz 65V NI-400S LDMOS 15dB 28V 500mA
MMRF1019NR4 FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5 NXP USA Inc. PLD-1.5 10W 1.09GHz 100V PLD-1.5 LDMOS 25dB 50V 10mA
MW6S010GNR1 RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 GULL NXP USA Inc. TO-270-2 GULL 10W 960MHz 68V TO-270BA LDMOS 18dB 28V 125mA
MRF6V2010NBR1 FET RF 110V 220MHZ TO272-2 NXP USA Inc. TO-272-2 10W 220MHz 110V TO-272BC LDMOS 23.9dB 50V 30mA
MRFG35010R5 FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF NXP USA Inc. NI-360HF 10W 3.55GHz 15V NI-360HF pHEMT FET 10dB 12V 180mA
PD85025C FET RF 40V 945MHZ M243 STMicroelectronics M243 10W 945MHz 40V 7A M243 LDMOS 17.5dB 13.6V 300mA
PTFC270101M-V1-R0 10W, SI LDMOS, 28V, 700-2700MHZ Wolfspeed, Inc. PG-SON-10 10W 900MHz ~ 2.7GHz 65V 10µA 10-LDFN Exposed Pad LDMOS 20.5dB 28V 120mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100