• Выходная мощность
  • Производитель
  • Тип корпуса
  • Номинальное напряжение
Найдено: 95
  • RF FET LDMOS 75V 12.5DB SOT467C
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-467C
    • Тип корпуса: SOT467C
    • Частота: 2GHz
    • Номинальное напряжение: 75V
    • Current - Test: 85mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 12.5dB
    • Voltage - Test: 26V
    • Номинальный ток: 2.2A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF MOSFET LDMOS SOT975C
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-975C
    • Тип корпуса: CDFM2
    • Частота: 3.4GHz ~ 3.8GHz
    • Номинальное напряжение: 28V
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10W, SI LDMOS, 28V, 700-2700MHZ
    Wolfspeed, Inc.
    • Производитель: Wolfspeed, Inc.
    • Package / Case: 10-LDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: PG-SON-10
    • Частота: 900MHz ~ 2.7GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 120mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 20.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF S BAND, N-CHANNEL , TO-272
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: TO-272BB
    • Тип корпуса: TO-272 WB-4
    • Частота: 2.12GHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 500mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 14.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 68V 2.12GHZ TO270-4
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270AB
    • Тип корпуса: TO-270 WB-4
    • Частота: 2.12GHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 500mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 14.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 65V 2.17GHZ NI-400S
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-400S
    • Тип корпуса: NI-400S
    • Частота: 2.17GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 500mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 15dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: PLD-1.5
    • Тип корпуса: PLD-1.5
    • Частота: 1.09GHz
    • Номинальное напряжение: 100V
    • Current - Test: 10mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 25dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 40V 945MHZ M243
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Package / Case: M243
    • Тип корпуса: M243
    • Частота: 945MHz
    • Номинальное напряжение: 40V
    • Current - Test: 300mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 17.5dB
    • Voltage - Test: 13.6V
    • Номинальный ток: 7A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 GULL
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270BA
    • Тип корпуса: TO-270-2 GULL
    • Частота: 960MHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 125mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 110V 220MHZ TO272-2
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-272BC
    • Тип корпуса: TO-272-2
    • Частота: 220MHz
    • Номинальное напряжение: 110V
    • Current - Test: 30mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 23.9dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 65V 1.99GHZ H-32259-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: GOLDMOS®
    • Package / Case: H-32259-2
    • Тип корпуса: H-32259-2
    • Частота: 1.99GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 180mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 19dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-360HF
    • Тип корпуса: NI-360HF
    • Частота: 3.55GHz
    • Номинальное напряжение: 15V
    • Current - Test: 180mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: pHEMT FET
    • Усиление: 10dB
    • Voltage - Test: 12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BLP15H9S10/SOT1482/REELDP
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Серия: BLP
    • Package / Case: SOT-1482-1
    • Тип корпуса: SOT-1482-1
    • Частота: 1.4GHz
    • Номинальное напряжение: 104V
    • Current - Test: 60mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
    • Усиление: 22dB
    • Voltage - Test: 50V
    • Номинальный ток: 1.4µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 65V 2.17GHZ NI-400
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-400
    • Тип корпуса: NI-400-240
    • Частота: 2.17GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 500mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 15dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF FET HEMT 150V 14.5DB SOT1227B
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-1227B
    • Тип корпуса: SOT1227B
    • Частота: 3GHz ~ 3.5GHz
    • Номинальное напряжение: 150V
    • Current - Test: 50mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: GaN HEMT
    • Усиление: 14.5dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: