-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: NI-360HF
- Тип корпуса: NI-360HF
- Частота: 3.55GHz
- Номинальное напряжение: 15V
- Current - Test: 180mA
- Выходная мощность: 10W
- Тип транзистора: pHEMT FET
- Усиление: 10dB
- Voltage - Test: 12V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: NI-400
- Тип корпуса: NI-400-240
- Частота: 2.17GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 500mA
- Выходная мощность: 10W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 15dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: TO-272-4
- Тип корпуса: TO-272 WB-4
- Частота: 2.11GHz ~ 2.17GHz
- Номинальное напряжение: 68V
- Current - Test: 500mA
- Выходная мощность: 10W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 14.5dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: TO-270BA
- Тип корпуса: TO-270-2 GULL
- Частота: 960MHz
- Номинальное напряжение: 68V
- Current - Test: 125mA
- Выходная мощность: 10W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 18dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: TO-270AA
- Тип корпуса: TO-270-2
- Частота: 880MHz
- Номинальное напряжение: 68V
- Current - Test: 350mA
- Выходная мощность: 10W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 22.7dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: NI-200S
- Тип корпуса: NI-200S
- Частота: 2GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 75mA
- Выходная мощность: 10W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 11.5dB
- Voltage - Test: 26V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: TO-272BB
- Тип корпуса: TO-272 WB-4
- Частота: 2.12GHz
- Номинальное напряжение: 68V
- Current - Test: 500mA
- Выходная мощность: 10W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 14.5dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: TO-272-2
- Тип корпуса: TO-272-2
- Частота: 880MHz
- Номинальное напряжение: 68V
- Current - Test: 350mA
- Выходная мощность: 10W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 22.7dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: TO-270BA
- Тип корпуса: TO-270-2 GULL
- Частота: 2.17GHz
- Номинальное напряжение: 68V
- Current - Test: 130mA
- Выходная мощность: 10W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 15.5dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: TO-272BC
- Тип корпуса: TO-272-2
- Частота: 220MHz
- Номинальное напряжение: 110V
- Current - Test: 30mA
- Выходная мощность: 10W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 23.9dB
- Voltage - Test: 50V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: NI-400S
- Тип корпуса: NI-400S
- Частота: 2.16GHz ~ 2.17GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 500mA
- Выходная мощность: 10W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 15dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: TO-270AA
- Тип корпуса: TO-270-2
- Частота: 880MHz
- Номинальное напряжение: 66V
- Current - Test: 350mA
- Выходная мощность: 10W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 22.1dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: PLD-1.5
- Тип корпуса: PLD-1.5
- Частота: 1.09GHz
- Номинальное напряжение: 100V
- Current - Test: 10mA
- Выходная мощность: 10W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 25dB
- Voltage - Test: 50V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: SOT-1227B
- Тип корпуса: SOT-1227B
- Частота: 3GHz ~ 3.5GHz
- Номинальное напряжение: 150V
- Current - Test: 50mA
- Выходная мощность: 10W
- Тип транзистора: GaN HEMT
- Усиление: 14.5dB
- Voltage - Test: 50V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: NI-360HF
- Тип корпуса: NI-360HF
- Частота: 3.55GHz
- Номинальное напряжение: 15V
- Current - Test: 180mA
- Выходная мощность: 10W
- Тип транзистора: pHEMT FET
- Усиление: 10dB
- Voltage - Test: 12V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100