Найдено: 46
  • FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270AA
    • Тип корпуса: TO-270-2
    • Частота: 2.17GHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 130mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 15.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 65V 2.17GHZ NI-360
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-360
    • Тип корпуса: NI-360
    • Частота: 2.17GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 13.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 66V 880MHZ TO-270-2
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270BB
    • Тип корпуса: TO-270 WB-4 Gull
    • Частота: 880MHz
    • Номинальное напряжение: 66V
    • Current - Test: 350mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 22.1dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780HS-4
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-780S-4L
    • Тип корпуса: NI-780S-4L
    • Частота: 2.03GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 150mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 18.2dB
    • Voltage - Test: 32V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 110V 220MHZ TO-270G-2
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270BA
    • Тип корпуса: TO-270G-2
    • Частота: 220MHz
    • Номинальное напряжение: 110V
    • Current - Test: 30mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 23.9dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-780-4
    • Тип корпуса: NI-780-4
    • Частота: 2.03GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 150mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 18.2dB
    • Voltage - Test: 32V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF PFET, 1-ELEMENT, C BAND, GALL
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: SOT-1227B
    • Тип корпуса: SOT1227B
    • Частота: 6GHz
    • Номинальное напряжение: 150V
    • Current - Test: 50mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: GaN HEMT
    • Усиление: 16dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270AA
    • Тип корпуса: TO-270-2
    • Частота: 2.17GHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 130mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 15.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 120V 220MHZ
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270-2
    • Тип корпуса: TO-270-2
    • Частота: 220MHz
    • Номинальное напряжение: 120V
    • Current - Test: 30mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 23.9dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 68V 2.17GHZ TO270-4
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270-4
    • Тип корпуса: TO-270 WB-4
    • Частота: 2.11GHz ~ 2.17GHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 500mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 14.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 68V 2.12GHZ TO270-4
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270AB
    • Тип корпуса: TO-270 WB-4
    • Частота: 2.12GHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 500mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 14.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 65V 2.17GHZ NI-400S
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-400S
    • Тип корпуса: NI-400S
    • Частота: 2.17GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 500mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 15dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: PLD-1.5
    • Тип корпуса: PLD-1.5
    • Частота: 1.09GHz
    • Номинальное напряжение: 100V
    • Current - Test: 10mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 25dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 GULL
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270BA
    • Тип корпуса: TO-270-2 GULL
    • Частота: 960MHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 125mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 110V 220MHZ TO272-2
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-272BC
    • Тип корпуса: TO-272-2
    • Частота: 220MHz
    • Номинальное напряжение: 110V
    • Current - Test: 30mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 23.9dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: