• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 46
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
MRF6S20010NR1 FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2 NXP USA Inc. TO-270-2 10W 2.17GHz 68V TO-270AA LDMOS 15.5dB 28V 130mA
MRF21010LR1 FET RF 65V 2.17GHZ NI-360 NXP USA Inc. NI-360 10W 2.17GHz 65V NI-360 LDMOS 13.5dB 28V 100mA
MRFE6S9045GNR1 FET RF 66V 880MHZ TO-270-2 NXP USA Inc. TO-270 WB-4 Gull 10W 880MHz 66V TO-270BB LDMOS 22.1dB 28V 350mA
MRF7P20040HSR3 FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780HS-4 NXP USA Inc. NI-780S-4L 10W 2.03GHz 65V NI-780S-4L LDMOS (Dual) 18.2dB 32V 150mA
MRF6V2010GNR5 FET RF 110V 220MHZ TO-270G-2 NXP USA Inc. TO-270G-2 10W 220MHz 110V TO-270BA LDMOS 23.9dB 50V 30mA
MRF7P20040HR5 FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4 NXP USA Inc. NI-780-4 10W 2.03GHz 65V NI-780-4 LDMOS (Dual) 18.2dB 32V 150mA
CLF1G0060S-10 RF PFET, 1-ELEMENT, C BAND, GALL NXP USA Inc. SOT1227B 10W 6GHz 150V SOT-1227B GaN HEMT 16dB 50V 50mA
MMRF1004NR1 RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 NXP USA Inc. TO-270-2 10W 2.17GHz 68V TO-270AA LDMOS 15.5dB 28V 130mA
MMRF1012NR1 FET RF 120V 220MHZ NXP USA Inc. TO-270-2 10W 220MHz 120V TO-270-2 LDMOS 23.9dB 50V 30mA
MRF5S21045MR1 FET RF 68V 2.17GHZ TO270-4 NXP USA Inc. TO-270 WB-4 10W 2.11GHz ~ 2.17GHz 68V TO-270-4 LDMOS 14.5dB 28V 500mA
MRF5S21045NR1 FET RF 68V 2.12GHZ TO270-4 NXP USA Inc. TO-270 WB-4 10W 2.12GHz 68V TO-270AB LDMOS 14.5dB 28V 500mA
MRF21045LSR3 FET RF 65V 2.17GHZ NI-400S NXP USA Inc. NI-400S 10W 2.17GHz 65V NI-400S LDMOS 15dB 28V 500mA
MMRF1019NR4 FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5 NXP USA Inc. PLD-1.5 10W 1.09GHz 100V PLD-1.5 LDMOS 25dB 50V 10mA
MW6S010GNR1 RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 GULL NXP USA Inc. TO-270-2 GULL 10W 960MHz 68V TO-270BA LDMOS 18dB 28V 125mA
MRF6V2010NBR1 FET RF 110V 220MHZ TO272-2 NXP USA Inc. TO-272-2 10W 220MHz 110V TO-272BC LDMOS 23.9dB 50V 30mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100