-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS3207ZTRRPBF | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK | Infineon Technologies | D²PAK (TO-263) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | N-Channel | 300W (Tc) | 75V | 120A (Tc) | 4.1mOhm @ 75A, 10V | 10V | 4V @ 150µA | 170nC @ 10V | 6920pF @ 50V | ±20V | HEXFET® |
| IRFS3307ZTRRPBF | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK | Infineon Technologies | D²PAK (TO-263) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | N-Channel | 230W (Tc) | 75V | 120A (Tc) | 5.8mOhm @ 75A, 10V | 10V | 4V @ 150µA | 110nC @ 10V | 4750pF @ 50V | ±20V | HEXFET® |
| IRFS3207ZPBF | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK | Infineon Technologies | D²PAK (TO-263) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | N-Channel | 300W (Tc) | 75V | 120A (Tc) | 4.1mOhm @ 75A, 10V | 10V | 4V @ 150µA | 170nC @ 10V | 6920pF @ 50V | ±20V | HEXFET® |
- 10
- 15
- 50
- 100