• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 3
  • IRFS3207ZTRRPBF
    MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 75V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 150µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6920pF @ 50V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 300W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRFS3307ZTRRPBF
    MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 75V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 150µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4750pF @ 50V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 230W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRFS3207ZPBF
    MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 75V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 150µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6920pF @ 50V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 300W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100