-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
FET Feature
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DF11MR12W1M1B11BOMA1 | MOSFET MODULE 1200V 50A | Infineon Technologies | AG-EASY1BM-2 | 20mW | Chassis Mount | Module | -40°C ~ 150°C (TJ) | 2 N-Channel (Dual) | 1200V (1.2kV) | 50A | Silicon Carbide (SiC) | 23mOhm @ 50A, 15V | 5.5V @ 20mA | 125nC @ 5V | 3950pF @ 800V | |
| FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 | EASY PACK | Infineon Technologies | AG-EASY1BM-2 | 20mW (Tc) | Chassis Mount | Module | -40°C ~ 150°C (TJ) | 2 N-Channel (Dual) | 1200V (1.2kV) | 150A (Tj) | Silicon Carbide (SiC) | 9.8mOhm @ 150A, 15V | 5.55V @ 90mA | 15V | 600V | CoolSiC™+ |
| FS45MR12W1M1B11BOMA1 | MOSFET MODULE 1200V 50A | Infineon Technologies | AG-EASY1BM-2 | 20mW (Tc) | Chassis Mount | Module | -40°C ~ 150°C (TJ) | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) | 1200V (1.2kV) | 25A (Tj) | Silicon Carbide (SiC) | 45mOhm @ 25A, 15V (Typ) | 5.55V @ 10mA | 62nC @ 15V | 1840pF @ 800V | CoolSiC™+ |
| DF23MR12W1M1B11BOMA1 | MOSFET MODULE 1200V 25A | Infineon Technologies | AG-EASY1BM-2 | 20mW | Chassis Mount | Module | -40°C ~ 150°C (TJ) | 2 N-Channel (Dual) | 1200V (1.2kV) | 25A | Silicon Carbide (SiC) | 45mOhm @ 25A, 15V | 5.5V @ 10mA | 620nC @ 15V | 2000pF @ 800V | |
| DF23MR12W1M1B11BPSA1 | MOSFET MOD 1200V 25A | Infineon Technologies | AG-EASY1BM-2 | 20mW | Chassis Mount | Module | -40°C ~ 150°C (TJ) | 2 N-Channel (Dual) | 1200V (1.2kV) | 25A (Tj) | Silicon Carbide (SiC) | 45mOhm @ 25A, 15V (Typ) | 5.55V @ 10mA | 62nC @ 15V | 1840pF @ 800V | CoolSiC™+ |
| DF11MR12W1M1B11BPSA1 | MOSFET MOD 1200V 50A | Infineon Technologies | AG-EASY1BM-2 | 20mW | Chassis Mount | Module | -40°C ~ 150°C (TJ) | 2 N-Channel (Dual) | 1200V (1.2kV) | 50A (Tj) | Silicon Carbide (SiC) | 22.5mOhm @ 50A, 15V | 5.55V @ 20mA | 124nC @ 15V | 3680pF @ 800V | CoolSiC™+ |
| FF45MR12W1M1B11BOMA1 | MOSFET MODULE 1200V 50A | Infineon Technologies | AG-EASY1BM-2 | 20mW (Tc) | Chassis Mount | Module | -40°C ~ 150°C (TJ) | 2 N-Channel (Dual) | 1200V (1.2kV) | 25A (Tj) | Silicon Carbide (SiC) | 45mOhm @ 25A, 15V (Typ) | 5.55V @ 10mA | 62nC @ 15V | 1840pF @ 800V | CoolSiC™+ |
- 10
- 15
- 50
- 100