• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 7
  • DF11MR12W1M1B11BOMA1
    MOSFET MODULE 1200V 50A
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: AG-EASY1BM-2
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 50A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 15V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.5V @ 20mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3950pF @ 800V
    • Мощность - Макс.: 20mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
    EASY PACK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: CoolSiC™+
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: AG-EASY1BM-2
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 150A (Tj)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 150A, 15V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.55V @ 90mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 15V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 600V
    • Мощность - Макс.: 20mW (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FS45MR12W1M1B11BOMA1
    MOSFET MODULE 1200V 50A
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: CoolSiC™+
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: AG-EASY1BM-2
    • Тип канала: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 25A (Tj)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V (Typ)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.55V @ 10mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 15V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1840pF @ 800V
    • Мощность - Макс.: 20mW (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DF23MR12W1M1B11BOMA1
    MOSFET MODULE 1200V 25A
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: AG-EASY1BM-2
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 25A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 620nC @ 15V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 800V
    • Мощность - Макс.: 20mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DF23MR12W1M1B11BPSA1
    MOSFET MOD 1200V 25A
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: CoolSiC™+
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: AG-EASY1BM-2
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 25A (Tj)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V (Typ)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.55V @ 10mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 15V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1840pF @ 800V
    • Мощность - Макс.: 20mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DF11MR12W1M1B11BPSA1
    MOSFET MOD 1200V 50A
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: CoolSiC™+
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: AG-EASY1BM-2
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 50A, 15V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.55V @ 20mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 124nC @ 15V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3680pF @ 800V
    • Мощность - Макс.: 20mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FF45MR12W1M1B11BOMA1
    MOSFET MODULE 1200V 50A
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: CoolSiC™+
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: AG-EASY1BM-2
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 25A (Tj)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V (Typ)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.55V @ 10mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 15V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1840pF @ 800V
    • Мощность - Макс.: 20mW (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100