-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
FET Feature
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSO211PH | 3.2A, 20V, 0.067OHM, 2-ELEMENT, | Infineon Technologies | 532-FCBGA (23x23) | 1.6W (Ta) | Surface Mount | 532-BFBGA, FCBGA | -55°C ~ 150°C (TJ) | 2 P-Channel (Dual) | 20V | 4A (Ta) | Logic Level Gate, 2.5V Drive | 67mOhm @ 4.6A, 4.5V | 1.2V @ 25µA | 10nC @ 4.5V | 1095pF @ 15V | OptiMOS™ P |
- 10
- 15
- 50
- 100