• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1
  • BSO211PH
    3.2A, 20V, 0.067OHM, 2-ELEMENT,
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: OptiMOS™ P
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 532-BFBGA, FCBGA
    • Тип корпуса: 532-FCBGA (23x23)
    • Тип канала: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.6A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1095pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 1.6W (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100