-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF6100 | MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET | Infineon Technologies | 4-FlipFet™ | Surface Mount | 4-FlipFet™ | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | P-Channel | 2.2W (Ta) | 20V | 5.1A (Ta) | 65mOhm @ 5.1A, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 1.2V @ 250µA | 21nC @ 5V | 1230pF @ 15V | ±12V | HEXFET® |
| IRF6100PBF | MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET | Infineon Technologies | 4-FlipFet™ | Surface Mount | 4-FlipFet™ | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | P-Channel | 2.2W (Ta) | 20V | 5.1A (Ta) | 65mOhm @ 5.1A, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 1.2V @ 250µA | 21nC @ 5V | 1230pF @ 15V | ±12V | HEXFET® |
- 10
- 15
- 50
- 100