• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2
  • IRF6100
    MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 4-FlipFet™
    • Тип корпуса: 4-FlipFet™
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.1A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1230pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.2W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF6100PBF
    MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 4-FlipFet™
    • Тип корпуса: 4-FlipFet™
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.1A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1230pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.2W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100