Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Infineon Technologies
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип полевого транзистора
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
- Тип корпуса: H-34288-4/2
- Частота: 821MHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 2.15A
- Выходная мощность: 60W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 19.3dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads
- Тип корпуса: H-36260-2
- Частота: 1.99GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 1.8A
- Выходная мощность: 50W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 15.9dB
- Voltage - Test: 30V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Package / Case: H-34275G-6/2
- Тип корпуса: H-34275G-6/2
- Частота: 1.99GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 2.65A
- Выходная мощность: 80W
- Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
- Усиление: 19dB
- Voltage - Test: 30V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Package / Case: H-34288G-4/2
- Тип корпуса: H-34288G-4/2
- Частота: 1.99GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 1.35A
- Выходная мощность: 60W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 19dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
- Тип корпуса: H-34288-4/2
- Частота: 821MHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 2.15A
- Выходная мощность: 60W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 19.3dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
- Тип корпуса: H-34288-4/2
- Частота: 821MHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 2.15A
- Выходная мощность: 60W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 19.3dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
- Тип корпуса: H-34288-2
- Частота: 960MHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 1.85A
- Выходная мощность: 200W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 17.5dB
- Voltage - Test: 30V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
- Тип корпуса: H-37260-2
- Частота: 2.14GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 1.6A
- Выходная мощность: 50W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 15.8dB
- Voltage - Test: 30V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
- Тип корпуса: H-37260-2
- Частота: 2.14GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 1.6A
- Выходная мощность: 50W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 15.8dB
- Voltage - Test: 30V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Package / Case: H-37248-4
- Тип корпуса: H-37248-4
- Частота: 2.61GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 230mA
- Выходная мощность: 28W
- Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
- Усиление: 13.5dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
- Тип корпуса: H-33288-2
- Частота: 1.99GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 1.8A
- Выходная мощность: 50W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 15.9dB
- Voltage - Test: 30V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100