- Производитель
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: HEXFET®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SO
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2480pF @ 10V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±12V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: CoolMOS™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Тип корпуса: PG-TO251-3
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 25W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: HEXFET®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- Тип корпуса: 8-TSSOP
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2361pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 1.5W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
- Напряжение затвора (макс): ±12V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: SIPMOS®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: PG-SOT223-4
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 250V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 260mA, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 130µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 104pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 1.8W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: OptiMOS™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 140µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 176nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 188W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: HEXFET®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: D-PAK (TO-252AA)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 75V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 89nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3107pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 99W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: HEXFET®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SO
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9.4A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2460pF @ 20V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±12V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: PG-TO252-3-313
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 90A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.1V @ 90µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6250pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 136W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±16V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: HEXFET®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: D-Pak
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 10V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: CoolMOS™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Тип корпуса: PG-TO251-3
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 800V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 100V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 63W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: HEXFET®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SO
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: HEXFET®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SO
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 16A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2080pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
- Тип корпуса: PG-64248-2
- Частота: 960MHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 750mA
- Выходная мощность: 110W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 18.5dB
- Voltage - Test: 28V
- Номинальный ток: 10µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: OptiMOS™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип корпуса: PG-TO263-3-2
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 5.55mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 281nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 8500pF @ 30V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 300W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100