• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: OptiMOS™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
• Тип корпуса: PG-TO251-3
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 80µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5199pF @ 15V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 115W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: FETKY™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип корпуса: 8-SO
• Тип канала: N-Channel
• FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: HEXFET®
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• Тип корпуса: D-Pak
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 150V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: HEXFET®
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• Тип корпуса: D-PAK (TO-252AA)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 75V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 25A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 110W (Tc)

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: HEXFET®
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
• Тип корпуса: IPAK (TO-251)
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 40W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: HEXFET®
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип корпуса: 8-SO
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.2A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: HEXFET®
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D2PAK
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 55V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1696pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: OptiMOS™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
• Тип корпуса: PG-TO262-3-1
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 55V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 58A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 150µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 96nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3800pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 215W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies

• Производитель: Infineon Technologies

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: HEXFET®
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип корпуса: 8-SO
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: OptiMOS™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: PG-TO220-3-1
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 95µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 118nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9430pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 150W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: CoolMOS™ C7
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: PG-TO220-3
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 440µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1670pF @ 400V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 101W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Package / Case: SOT-143R
• Тип корпуса: PG-SOT-143R-3D
• Частота: 800MHz
• Номинальное напряжение: 8V
• Тип транзистора: N-Channel
• Усиление: 22dB
• Voltage - Test: 5V
• Коэффициент шума: 1.6dB
• Номинальный ток: 25mA

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: HEXFET®
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220AB
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5110pF @ 15V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 140W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V