- Производитель
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
FET Feature
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GE12047BCA3 | 1200V 475A SIC DUAL MODULE | General Electric | 1250W | Chassis Mount | Module | -55°C ~ 150°C (Tc) | 2 Independent | 1200V (1.2kV) | 475A | Silicon Carbide (SiC) | 4.4mOhm @ 475A, 20V | 4.5V @ 160mA | 1248nC @ 18V | 29.3nF @ 600V | SiC Power |
| GE17042BCA3 | 1700V 425A SIC DUAL MODULE | General Electric | 1250W | Chassis Mount | Module | 175°C (TJ) | 2 N-Channel (Dual) | 1700V (1.7kV) | 425A (Tc) | Silicon Carbide (SiC) | 4.45mOhm @ 425A, 20V | 4.5V @ 160mA | 18V | 29100pF @ 900V | |
| GE17042CCA3 | 1700V 425A SIC HALF-BRIDGE MODUL | General Electric | 1250W | Chassis Mount | Module | 175°C (TJ) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 1700V (1.7kV) | 425A (Tc) | Silicon Carbide (SiC) | 4.45mOhm @ 425A, 20V | 4.5V @ 160mA | 18V | 29100pF @ 900V | |
| GE12047CCA3 | 1200V 475A SIC HALF-BRIDGE MODUL | General Electric | 1250W | Chassis Mount | Module | -55°C ~ 150°C (Tc) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 1200V (1.2kV) | 475A | Silicon Carbide (SiC) | 4.4mOhm @ 475A, 20V | 4.5V @ 160mA | 1248nC @ 18V | 29.3nF @ 600V | SiC Power |
- 10
- 15
- 50
- 100