- Производитель
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: General Electric
- Серия: SiC Power
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (Tc)
- Package / Case: Module
- Тип канала: 2 Independent
- FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 475A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 475A, 20V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 160mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1248nC @ 18V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 29.3nF @ 600V
- Мощность - Макс.: 1250W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: General Electric
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: Module
- Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1700V (1.7kV)
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 425A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.45mOhm @ 425A, 20V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 160mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 18V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 29100pF @ 900V
- Мощность - Макс.: 1250W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: General Electric
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: Module
- Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
- FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1700V (1.7kV)
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 425A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.45mOhm @ 425A, 20V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 160mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 18V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 29100pF @ 900V
- Мощность - Макс.: 1250W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: General Electric
- Серия: SiC Power
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (Tc)
- Package / Case: Module
- Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
- FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 475A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 475A, 20V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 160mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1248nC @ 18V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 29.3nF @ 600V
- Мощность - Макс.: 1250W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100