Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Fairchild Semiconductor

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 277
  • FDS8928A
    POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип полевого транзистора: N and P-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V, 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.5A, 4A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.5A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 900mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDC6322C
    SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    • Тип корпуса: SuperSOT™-6
    • Тип полевого транзистора: N and P-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 220mA, 460mA
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 700mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDMS3604AS
    SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerTDFN
    • Тип корпуса: 8-PQFN (5x6)
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 13A, 23A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1695pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 1W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDW2508P
    SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
    • Тип корпуса: 8-TSSOP
    • Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 12V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2644pF @ 6V
    • Мощность - Макс.: 1W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDMC8298
    N-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HUFA76429D3ST_QF085
    20A, 60V, 0.029OHM, N CHANNEL ,
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDS4501H
    SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип полевого транзистора: N and P-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V, 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 1W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDMD8280
    SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 12-PowerWDFN
    • Тип корпуса: 12-Power3.3x5
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 80V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 11A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3050pF @ 40V
    • Мощность - Макс.: 1W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDS4935A
    POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 900mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HUF76113DK8T
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: UltraFET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
    • Тип корпуса: US8
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 605pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 2.5W (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDI9406
    110A, 40V, N CHANNEL, MOSFET, T
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDS8958
    P-CHANNEL POWER MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип полевого транзистора: N and P-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7A, 5A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 789pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 2W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDMQ8403
    POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: GreenBridge™ PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 12-MLP (5x4.5)
    • Тип полевого транзистора: 4 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.1A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 215pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 1.9W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDM2452NZ
    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 6-MLP (2x5)
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.1A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 980pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 800mW (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDBL86210
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100