• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
Найдено: 277
  • SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 6-MLP (2x5)
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.2A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 800mW (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: 8-PowerWDFN
    • Тип корпуса: Powerclip-33
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 64nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @13V, 4335pF @ 13V
    • Мощность - Макс.: 1.6W (Ta), 2W (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • N-CHANNEL MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • P-CHANNEL POWER MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: LittleFET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: N and P-Channel
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 12V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 2.5A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 5V, 130mOhm @ 2.5A, 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V, 24nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 10V, 775pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 2W (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    • Тип корпуса: SuperSOT™-6
    • Тип канала: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.2A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 337pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 700mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • N-CHANNEL POWER MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
    • Тип корпуса: 8-TSSOP
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 1.6W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerWDFN
    • Тип корпуса: 8-Power33 (3x3)
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7A, 13A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 700mW, 1W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS MOSFET N-CH 500V 4A T/R
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SMALL SIGNAL FET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Номинальное напряжение: 30V
    • Тип транзистора: N-Channel JFET
    • Номинальный ток: 7mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate, 10V Drive
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 450V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 700mA (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1Ohm @ 350mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 20V
    • Мощность - Макс.: 1.6W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • P-CHANNEL POWER MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1015pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 900mW (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • N-CHANNEL POWER MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.3A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 900mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 6-MicroFET (2x2)
    • Тип канала: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.1A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.1A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 700mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1-ELEMENT, N-CHANNEL
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 164A, 75V, N-CHANNEL, MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: