• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 277
  • FDS6984S
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: PowerTrench®, SyncFET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.5A, 8.5A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 900mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDB9403
    N-CHANNEL, MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDB12N50FTM
    MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDMS3610S
    SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerTDFN
    • Тип корпуса: Power56
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 17.5A, 30A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 13V
    • Мощность - Макс.: 1W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDMA1023PZ
    SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 6-MicroFET (2x2)
    • Тип канала: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.7A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.7A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 700mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RFD3055LE_R4821
    TRANS MOSFET N-CH 60V 11A 3PIN(3
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDR8508P
    SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)
    • Тип корпуса: SuperSOT™-8
    • Тип канала: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 800mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SFR9230BTMAM002
    5.4A, 200V, 0.8OHM, P CHANNEL ,
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDW2501N
    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
    • Тип корпуса: 8-TSSOP
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1290pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 600mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDS6990S
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 900mW (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDMS3600S
    SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerTDFN
    • Тип корпуса: 8-PQFN (5x6)
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 30A (Tc), 30A (Ta), 40A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 30A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, 3V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V, 82nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @13V, 5375pF @ 13V
    • Мощность - Макс.: 2.2W (Ta), 2.5W (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HP4936DY
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5.8A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 625pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 2W (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDS8926A
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.5A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.5A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 900mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI6963DQ
    P-CHANNEL MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
    • Тип корпуса: 8-TSSOP
    • Тип канала: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.8A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1015pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 600mW (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI4963DY
    P-CHANNEL POWER MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.2A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1456pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 900mW (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100