• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 277
  • FDY1002PZ
    POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, P
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-563, SOT-666
    • Тип корпуса: SOT-563F
    • Тип канала: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 830mA
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 830mA, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 446mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDSS2407S_B82086
    3.3A, 62V, 0.11OHM, 2-ELEMENT,
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 62V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2.27W (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDMS86204
    FDMS86204
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDMC6680AZ
    P-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDMC0205
    N-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDS6892A
    POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7.5A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1333pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 900mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HUF75639S3ST_Q
    TRANS MOSFET N-CH 100V 56A 3PIN(
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N5247
    JFET N-CH 30V TO92
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Частота: 400MHz
    • Номинальное напряжение: 30V
    • Тип транзистора: N-Channel JFET
    • Коэффициент шума: 4dB
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BF244C
    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Частота: 450MHz
    • Коэффициент шума: 1.5dB @ 100MHz
    • Номинальный ток: 25mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI4936DY
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5.8A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 900mW (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDW9926A
    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
    • Тип корпуса: 8-TSSOP
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.5A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 600mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDM3300NZ
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: Power33
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 10A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1610pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 900mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FPF1C2P5BF07A
    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: F1 Module
    • Тип корпуса: F1
    • Тип канала: 5 N-Channel (Solar Inverter)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 36A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 27A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
    • Мощность - Макс.: 250W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDMS3606S
    SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerTDFN
    • Тип корпуса: 8-PQFN (5x6)
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 13A, 27A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1785pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 1W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDS6982S
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: PowerTrench®, SyncFET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2040pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 900mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100