-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Выходная мощность
|
Вид монтажа
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Усиление
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CGH60060D-GP4 | RF MOSFET HEMT 28V DIE | Cree/Wolfspeed | Die | 60W | 6GHz | 84V | Die | HEMT | 13dB | 28V | 400mA | GaN | |||||||||||||
| CGHV1J070D-GP4 | RF MOSFET HEMT 40V DIE | Cree/Wolfspeed | Die | 70W | 18GHz | 100V | Die | HEMT | 17dB | 40V | 360mA | GaN | |||||||||||||
| CPMF-1200-S160B | MOSFET N-CHANNEL 1200V 28A DIE | Cree/Wolfspeed | Die | Surface Mount | Die | SiCFET (Silicon Carbide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 202W (Tj) | 1200V | 28A (Tj) | 220mOhm @ 10A, 20V | 20V | 4V @ 1mA | 47.1nC @ 20V | 928pF @ 800V | +25V, -5V | Z-FET™ | |||||||
| CGHV1J025D-GP4 | RF MOSFET HEMT 40V DIE | Cree/Wolfspeed | Die | 25W | 18GHz | 100V | Die | HEMT | 17dB | 40V | 120mA | GaN | |||||||||||||
| CPMF-1200-S080B | MOSFET N-CHANNEL 1200V 50A DIE | Cree/Wolfspeed | Die | Surface Mount | Die | SiCFET (Silicon Carbide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 313mW (Tj) | 1200V | 50A (Tj) | 110mOhm @ 20A, 20V | 20V | 4V @ 1mA | 90.8nC @ 20V | 1915pF @ 800V | +25V, -5V | Z-FET™ | |||||||
| CG2H80045D-GP4 | 45W, GAN HEMT, 28V, DC-8.0GHZ, B | Cree/Wolfspeed | Die | 45W | 8GHz | 120V | Die | HEMT | 15dB | 28V | 500mA | GaN | |||||||||||||
| CGHV60170D-GP4 | RF MOSFET HEMT 50V DIE | Cree/Wolfspeed | Die | 170W | 6GHz | 150V | Die | HEMT | 17dB | 50V | 260mA | GaN | |||||||||||||
| CGH60008D-GP4 | RF MOSFET HEMT 28V DIE | Cree/Wolfspeed | Die | 8W | 6GHz | 84V | Die | HEMT | 15dB | 28V | 100mA | GaN | |||||||||||||
| CG2H80030D-GP4 | RF MOSFET HEMT 28V DIE | Cree/Wolfspeed | Die | 30W | 8GHz | 84V | Die | HEMT | 16.5dB | 28V | 200mA | GaN | |||||||||||||
| CGH60030D-GP4 | RF MOSFET HEMT 28V DIE | Cree/Wolfspeed | Die | 30W | 6GHz | 84V | Die | HEMT | 15dB | 28V | 250mA | GaN |
- 10
- 15
- 50
- 100