-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Частота: 6GHz
- Номинальное напряжение: 84V
- Current - Test: 400mA
- Выходная мощность: 60W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 13dB
- Voltage - Test: 28V
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Частота: 18GHz
- Номинальное напряжение: 100V
- Current - Test: 30mA
- Выходная мощность: 6W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 17dB
- Voltage - Test: 40V
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Частота: 18GHz
- Номинальное напряжение: 100V
- Current - Test: 360mA
- Выходная мощность: 70W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 17dB
- Voltage - Test: 40V
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: Z-FET™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 28A (Tj)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 20V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1nC @ 20V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 928pF @ 800V
- Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 202W (Tj)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
- Напряжение затвора (макс): +25V, -5V
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Частота: 18GHz
- Номинальное напряжение: 100V
- Current - Test: 120mA
- Выходная мощность: 25W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 17dB
- Voltage - Test: 40V
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: Z-FET™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 90.8nC @ 20V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1915pF @ 800V
- Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 313mW (Tj)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
- Напряжение затвора (макс): +25V, -5V
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Частота: 6GHz
- Номинальное напряжение: 150V
- Current - Test: 125mA
- Выходная мощность: 75W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 17dB
- Voltage - Test: 50V
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Частота: 4GHz
- Номинальное напряжение: 150V
- Current - Test: 500mA
- Выходная мощность: 320W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 19dB
- Voltage - Test: 50V
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Частота: 6GHz
- Номинальное напряжение: 84V
- Current - Test: 200mA
- Выходная мощность: 15W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 15dB
- Voltage - Test: 28V
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Частота: 8GHz
- Номинальное напряжение: 120V
- Current - Test: 500mA
- Выходная мощность: 45W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 15dB
- Voltage - Test: 28V
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Частота: 6GHz
- Номинальное напряжение: 150V
- Current - Test: 260mA
- Выходная мощность: 170W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 17dB
- Voltage - Test: 50V
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Частота: 6GHz
- Номинальное напряжение: 84V
- Current - Test: 100mA
- Выходная мощность: 8W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 15dB
- Voltage - Test: 28V
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Частота: 6GHz
- Номинальное напряжение: 84V
- Current - Test: 1A
- Выходная мощность: 120W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 13dB
- Voltage - Test: 28V
- 10
- 15
- 50
- 100