• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 18
  • CGH60060D-GP4
    RF MOSFET HEMT 28V DIE
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: GaN
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Частота: 6GHz
    • Номинальное напряжение: 84V
    • Current - Test: 400mA
    • Выходная мощность: 60W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 13dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CGHV1J070D-GP4
    RF MOSFET HEMT 40V DIE
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: GaN
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Частота: 18GHz
    • Номинальное напряжение: 100V
    • Current - Test: 360mA
    • Выходная мощность: 70W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 17dB
    • Voltage - Test: 40V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CPMF-1200-S160B
    MOSFET N-CHANNEL 1200V 28A DIE
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: Z-FET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 28A (Tj)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 928pF @ 800V
    • Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 202W (Tj)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
    • Напряжение затвора (макс): +25V, -5V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CGHV1J025D-GP4
    RF MOSFET HEMT 40V DIE
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: GaN
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Частота: 18GHz
    • Номинальное напряжение: 100V
    • Current - Test: 120mA
    • Выходная мощность: 25W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 17dB
    • Voltage - Test: 40V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CPMF-1200-S080B
    MOSFET N-CHANNEL 1200V 50A DIE
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: Z-FET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 90.8nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1915pF @ 800V
    • Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 313mW (Tj)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
    • Напряжение затвора (макс): +25V, -5V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CG2H80045D-GP4
    45W, GAN HEMT, 28V, DC-8.0GHZ, B
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: GaN
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Частота: 8GHz
    • Номинальное напряжение: 120V
    • Current - Test: 500mA
    • Выходная мощность: 45W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 15dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CGHV60170D-GP4
    RF MOSFET HEMT 50V DIE
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: GaN
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Частота: 6GHz
    • Номинальное напряжение: 150V
    • Current - Test: 260mA
    • Выходная мощность: 170W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 17dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CGH60008D-GP4
    RF MOSFET HEMT 28V DIE
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: GaN
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Частота: 6GHz
    • Номинальное напряжение: 84V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 8W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 15dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CG2H80030D-GP4
    RF MOSFET HEMT 28V DIE
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: GaN
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Частота: 8GHz
    • Номинальное напряжение: 84V
    • Current - Test: 200mA
    • Выходная мощность: 30W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 16.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CGH60030D-GP4
    RF MOSFET HEMT 28V DIE
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: GaN
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Частота: 6GHz
    • Номинальное напряжение: 84V
    • Current - Test: 250mA
    • Выходная мощность: 30W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 15dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100