- Производитель
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Мощность - Макс.
|
Выходная мощность
|
Вид монтажа
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Номинальный ток
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Усиление
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
FET Feature
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PXAC260602FC-V1 | IC AMP RF LDMOS | Cree/Wolfspeed | H-37248-4 | 5W | 2.69GHz | 65V | H-37248-4 | LDMOS | 15.7dB | 28V | 85mA | |||||||||||||||||
| GTVA212701FA-V2-R2 | 270W, GAN HEMT, 48V, 2110-2200MH | Cree/Wolfspeed | H-87265J-2 | 270W | 2.11GHz ~ 2.2GHz | 125V | H-87265J-2 | HEMT | 19dB | 48V | 320mA | GaN | ||||||||||||||||
| E3M0065090D | E-SERIES 900V, 65 MOHM, G3 SIC M | Cree/Wolfspeed | TO-247-3 | Through Hole | TO-247-3 | SiCFET (Silicon Carbide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 125W (Tc) | 900V | 35A (Tc) | 84.5mOhm @ 20A, 15V | 15V | 3.5V @ 5mA | 30.4nC @ 15V | 660pF @ 600V | +18V, -8V | Automotive, AEC-Q101, E | ||||||||||
| C3M0280090D | MOSFET N-CH 900V 11.5A | Cree/Wolfspeed | TO-247-3 | Through Hole | TO-247-3 | SiCFET (Silicon Carbide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 54W (Tc) | 900V | 11.5A (Tc) | 360mOhm @ 7.5A, 15V | 15V | 3.5V @ 1.2mA | 9.5nC @ 15V | 150pF @ 600V | +18V, -8V | C3M™ | ||||||||||
| C2M1000170D | MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247 | Cree/Wolfspeed | TO-247-3 | Through Hole | TO-247-3 | SiCFET (Silicon Carbide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 69W (Tc) | 1700V | 4.9A (Tc) | 1.1Ohm @ 2A, 20V | 20V | 2.4V @ 100µA | 13nC @ 20V | 191pF @ 1000V | +25V, -10V | Z-FET™ | ||||||||||
| CAS300M17BM2 | MOSFET 2N-CH 1700V 325A MODULE | Cree/Wolfspeed | Module | 1760W | Chassis Mount | Module | -40°C ~ 150°C (TJ) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 1700V (1.7kV) | 325A (Tc) | Silicon Carbide (SiC) | 10mOhm @ 225A, 20V | 2.3V @ 15mA (Typ) | 1076nC @ 20V | 20000pF @ 1000V | Z-Rec® | ||||||||||||
| PTFB182557SH-V1-R250 | IC AMP RF LDMOS | Cree/Wolfspeed | ||||||||||||||||||||||||||
| PTFB192503EL-V1-R0 | IC AMP RF LDMOS H-33288-6 | Cree/Wolfspeed | H-33288-6 | 50W | 1.99GHz | 65V | H-33288-6 | LDMOS | 19dB | 30V | 1.9A | |||||||||||||||||
| PXAC241002FC-V1-R2 | RF FET LDMOS | Cree/Wolfspeed | ||||||||||||||||||||||||||
| GTRA362802FC-V1-R2 | 280W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH | Cree/Wolfspeed | H-37248C-4 | 280W | 3.4GHz ~ 3.6GHz | 125V | H-37248C-4 | HEMT | 13.5dB | 48V | 200mA | GaN | ||||||||||||||||
| PTFC260202FC-V1 | IC AMP RF LDMOS | Cree/Wolfspeed | H-37248-4 | 5W | 2.69GHz | 65V | H-37248-4 | LDMOS (Dual) | 20dB | 28V | 170mA | |||||||||||||||||
| C2M0160120D | MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247 | Cree/Wolfspeed | TO-247-3 | Through Hole | TO-247-3 | SiCFET (Silicon Carbide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 125W (Tc) | 1200V | 19A (Tc) | 196mOhm @ 10A, 20V | 20V | 2.5V @ 500µA | 32.6nC @ 20V | 527pF @ 800V | +25V, -10V | Z-FET™ | ||||||||||
| GTRA362002FC-V1-R2 | 200W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH | Cree/Wolfspeed | H-37248C-4 | 200W | 3.4GHz ~ 3.6GHz | 125V | H-37248C-4 | HEMT | 13.5dB | 48V | 140mA | GaN | ||||||||||||||||
| PTFB092707FH-V1-R250 | IC AMP RF LDMOS | Cree/Wolfspeed | ||||||||||||||||||||||||||
| C3M0032120D | 1200V, 32 MOHM, G3 SIC MOSFET | Cree/Wolfspeed | TO-247-3 | Through Hole | TO-247-3 | SiCFET (Silicon Carbide) | -40°C ~ 175°C (TJ) | N-Channel | 283W (Tc) | 1200V | 63A (Tc) | 43mOhm @ 40A, 15V | 15V | 3.6V @ 11.5mA | 114nC @ 15V | 3357pF @ 1000V | +15V, -4V | C3M™ |
- 10
- 15
- 50
- 100