• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Package / Case: HBSOF-4-1
• Тип корпуса: PG-HBSOF-4-1
• Частота: 869MHz ~ 960MHz
• Номинальное напряжение: 105V
• Current - Test: 900mA
• Выходная мощность: 240W
• Тип транзистора: LDMOS
• Усиление: 22.5dB
• Voltage - Test: 48V
• Номинальный ток: 10µA

• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Package / Case: HBSOF-6-2
• Тип корпуса: PG-HBSOF-6-2
• Частота: 790MHz ~ 820MHz
• Номинальное напряжение: 105V
• Current - Test: 200mA
• Выходная мощность: 280W
• Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
• Усиление: 15.5dB
• Voltage - Test: 48V
• Номинальный ток: 10µA

• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Серия: C2M™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-4
• Тип корпуса: TO-247-4
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1700V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 50A, 20V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 18mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 188nC @ 20V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3672pF @ 1000V
• Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 520W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
• Напряжение затвора (макс): +25V, -10V

• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Серия: GaN
• Package / Case: 440217
• Тип корпуса: 440217
• Частота: 2.7GHz ~ 3.1GHz
• Номинальное напряжение: 125V
• Current - Test: 500mA
• Выходная мощность: 500W
• Тип транзистора: HEMT
• Усиление: 13.5dB
• Voltage - Test: 50V
• Номинальный ток: 24A

• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Серия: GaN
• Package / Case: 440161
• Тип корпуса: 440161
• Частота: 1.2GHz ~ 1.4GHz
• Номинальное напряжение: 150V
• Current - Test: 500mA
• Выходная мощность: 250W
• Тип транзистора: HEMT
• Усиление: 17.8dB
• Voltage - Test: 50V

• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Package / Case: H-36265-2
• Тип корпуса: H-36265-2
• Частота: 960MHz
• Номинальное напряжение: 65V
• Current - Test: 650mA
• Выходная мощность: 25W
• Тип транзистора: LDMOS
• Усиление: 19.5dB
• Voltage - Test: 28V

• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Серия: C2M™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247-3
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 5mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 1000V
• Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 192W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
• Напряжение затвора (макс): +25V, -10V

• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Серия: C2M™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
• Тип корпуса: D2PAK-7
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1700V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.1V @ 500µA (Typ)
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 20V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 1000V
• Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 78W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
• Напряжение затвора (макс): +25V, -10V

• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Package / Case: H-37275G-6/2
• Тип корпуса: H-37275G-6/2
• Частота: 2.11GHz ~ 2.17GHz
• Номинальное напряжение: 65V
• Current - Test: 720mA
• Выходная мощность: 290W
• Тип транзистора: LDMOS
• Усиление: 13.5dB
• Voltage - Test: 28V
• Номинальный ток: 10µA

• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Серия: Z-FET™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247-3
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 6A, 20V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.8V @ 1.25mA (Typ)
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 20V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 259pF @ 1000V
• Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 62.5W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
• Напряжение затвора (макс): +25V, -10V

• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Package / Case: H-37248-4
• Тип корпуса: H-37248-4
• Частота: 2.4GHz
• Номинальное напряжение: 65V
• Current - Test: 360mA
• Выходная мощность: 28W
• Тип транзистора: LDMOS
• Усиление: 16.5dB
• Voltage - Test: 28V

• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Package / Case: H-37248-4
• Тип корпуса: H-37248-4
• Частота: 2.2GHz
• Номинальное напряжение: 65V
• Current - Test: 170mA
• Выходная мощность: 5W
• Тип транзистора: LDMOS (Dual)
• Усиление: 21dB
• Voltage - Test: 28V

• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Серия: GaN
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Die
• Частота: 6GHz
• Номинальное напряжение: 84V
• Current - Test: 400mA
• Выходная мощность: 60W
• Тип транзистора: HEMT
• Усиление: 13dB
• Voltage - Test: 28V

• Производитель: Cree/Wolfspeed

• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Серия: GaN
• Package / Case: 440210
• Тип корпуса: 440210
• Частота: 7.9GHz ~ 9.6GHz
• Номинальное напряжение: 100V
• Current - Test: 500mA
• Выходная мощность: 32W
• Тип транзистора: HEMT
• Усиление: 17dB
• Voltage - Test: 40V
• Номинальный ток: 13A