Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Cree/Wolfspeed D2PAK (7-Lead)
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип полевого транзистора
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: C2M™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-263-7 (Straight Leads)
- Тип корпуса: D2PAK (7-Lead)
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1700V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.1V @ 500µA (Typ)
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 20V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 1000V
- Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 78W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
- Напряжение затвора (макс): +25V, -10V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100