• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 407
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Мощность - Макс.
Выходная мощность
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Технология
Рабочая температура
Тип канала
Усиление
Коэффициент шума
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Voltage - Test
Current - Test
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Серия
C3M0021120K 1200V, 21 MOHM, G3 SIC MOSFET Cree/Wolfspeed TO-247-4L Through Hole TO-247-4 SiCFET (Silicon Carbide) -40°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 469W (Tc) 1200V 100A (Tc) 28.8mOhm @ 50A, 15V 15V 3.6V @ 17.7mA 162nC @ 15V 4818pF @ 1000V +15V, -4V C3M™
CAS325M12HM2 MOSFET 2N-CH 1200V 444A MODULE Cree/Wolfspeed Module 3000W Module 175°C (TJ) 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 444A (Tc) Silicon Carbide (SiC) 4.3mOhm @ 400A, 20V 4V @ 105mA 1127nC @ 20V Z-Rec®
C3M0120100K MOSFET N-CH 1000V 22A TO247-4L Cree/Wolfspeed TO-247-4L Through Hole TO-247-4 SiCFET (Silicon Carbide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 83W (Tc) 1000V 22A (Tc) 155mOhm @ 15A, 15V 15V 3.5V @ 3mA 21.5nC @ 15V 350pF @ 600V ±15V C3M™
C3M0065100J MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7 Cree/Wolfspeed D2PAK-7 Surface Mount TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA SiCFET (Silicon Carbide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 113.5W (Tc) 1000V 35A (Tc) 78mOhm @ 20A, 15V 15V 3.5V @ 5mA 35nC @ 15V 660pF @ 600V +15V, -4V C3M™
C3M0021120D 1200V, 21 MOHM, G3 SIC MOSFET Cree/Wolfspeed TO-247-3 Through Hole TO-247-3 SiCFET (Silicon Carbide) -40°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 469W (Tc) 1200V 100A (Tc) 28.8mOhm @ 50A, 15V 15V 3.6V @ 17.7mA 160nC @ 15V 4818pF @ 1000V +15V, -4V C3M™
C3M0280090J-TR MOSFET N-CH 900V 11A Cree/Wolfspeed D2PAK-7 Surface Mount TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA SiCFET (Silicon Carbide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 50W (Tc) 900V 11A (Tc) 360mOhm @ 7.5A, 15V 15V 3.5V @ 1.2mA 9.5nC @ 15V 150pF @ 600V +18V, -8V C3M™
CAS300M12BM2 MOSFET 2N-CH 1200V 404A MODULE Cree/Wolfspeed Module 1660W Chassis Mount Module, Screw Terminals 150°C (TJ) 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 423A (Tc) Silicon Carbide (SiC) 5.7mOhm @ 300A, 20V 2.3V @ 15mA (Typ) 1025nC @ 20V 11700pF @ 600V Z-FET™
CCS020M12CM2 MOSFET 6N-CH 1200V 29.5A MODULE Cree/Wolfspeed Module 167W Chassis Mount Module -40°C ~ 150°C (TJ) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 1200V (1.2kV) 29.5A (Tc) Silicon Carbide (SiC) 98mOhm @ 20A, 20V 2.2V @ 1mA (Typ) 61.5nC @ 20V 900pF @ 800V Z-Rec®
C3M0075120D MOSFET 1200V, 75 MOHM, G3 SIC Cree/Wolfspeed TO-247-3 Through Hole TO-247-3 SiCFET (Silicon Carbide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 113.6W (Tc) 1200V 30A (Tc) 90mOhm @ 20A, 15V 15V 4V @ 5mA 54nC @ 15V 1350pF @ 1000V +19V, -8V C3M™
E3M0280090D E-SERIES 900V, 280 MOHM, G3 SIC Cree/Wolfspeed TO-247-3 Through Hole TO-247-3 SiCFET (Silicon Carbide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 54W (Tc) 900V 11.5A (Tc) 360mOhm @ 7.5A, 15V 15V 3.5V @ 1.2mA 9.5nC @ 15V 150pF @ 600V +18V, -8V Automotive, AEC-Q101, E
C3M0065090J-TR MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 Cree/Wolfspeed D2PAK-7 Surface Mount TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA SiCFET (Silicon Carbide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 113W (Tc) 900V 35A (Tc) 78mOhm @ 20A, 15V 15V 2.1V @ 5mA 30nC @ 15V 660pF @ 600V +19V, -8V C3M™
E3M0065090D E-SERIES 900V, 65 MOHM, G3 SIC M Cree/Wolfspeed TO-247-3 Through Hole TO-247-3 SiCFET (Silicon Carbide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 125W (Tc) 900V 35A (Tc) 84.5mOhm @ 20A, 15V 15V 3.5V @ 5mA 30.4nC @ 15V 660pF @ 600V +18V, -8V Automotive, AEC-Q101, E
C3M0280090D MOSFET N-CH 900V 11.5A Cree/Wolfspeed TO-247-3 Through Hole TO-247-3 SiCFET (Silicon Carbide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 54W (Tc) 900V 11.5A (Tc) 360mOhm @ 7.5A, 15V 15V 3.5V @ 1.2mA 9.5nC @ 15V 150pF @ 600V +18V, -8V C3M™
C2M1000170D MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247 Cree/Wolfspeed TO-247-3 Through Hole TO-247-3 SiCFET (Silicon Carbide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 69W (Tc) 1700V 4.9A (Tc) 1.1Ohm @ 2A, 20V 20V 2.4V @ 100µA 13nC @ 20V 191pF @ 1000V +25V, -10V Z-FET™
CAS300M17BM2 MOSFET 2N-CH 1700V 325A MODULE Cree/Wolfspeed Module 1760W Chassis Mount Module -40°C ~ 150°C (TJ) 2 N-Channel (Half Bridge) 1700V (1.7kV) 325A (Tc) Silicon Carbide (SiC) 10mOhm @ 225A, 20V 2.3V @ 15mA (Typ) 1076nC @ 20V 20000pF @ 1000V Z-Rec®
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100