• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Серия: GaN
• Package / Case: 440196
• Тип корпуса: 440196
• Частота: 6GHz
• Номинальное напряжение: 150V
• Current - Test: 150mA
• Выходная мощность: 30W
• Тип транзистора: HEMT
• Усиление: 16dB
• Voltage - Test: 50V

• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Package / Case: H-37248-4
• Тип корпуса: H-37248-4
• Частота: 960MHz
• Номинальное напряжение: 65V
• Current - Test: 1.4A
• Выходная мощность: 55W
• Тип транзистора: LDMOS
• Усиление: 19.5dB
• Voltage - Test: 28V

• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Package / Case: H-34288-4/2
• Тип корпуса: H-34288-4/2
• Частота: 1.99GHz
• Номинальное напряжение: 65V
• Current - Test: 1.9A
• Выходная мощность: 50W
• Тип транзистора: LDMOS
• Усиление: 19dB
• Voltage - Test: 30V

• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Серия: C2M™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247-3
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1700V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 50A, 20V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 18mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 188nC @ 20V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3672pF @ 1kV
• Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 520W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
• Напряжение затвора (макс): +25V, -10V

• Производитель: Cree/Wolfspeed

• Производитель: Cree/Wolfspeed

• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Серия: C2M™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-7 (Straight Leads)
• Тип корпуса: D2PAK (7-Lead)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1700V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.1V @ 500µA (Typ)
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 20V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 1000V
• Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 78W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
• Напряжение затвора (макс): +25V, -10V

• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Серия: Z-FET™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 135°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247-3
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 1mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 90.8nC @ 20V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1915pF @ 800V
• Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 215W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
• Напряжение затвора (макс): +25V, -5V

• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Серия: C3M™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247-3
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 900V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.1V @ 5mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4nC @ 15V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 600V
• Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 125W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
• Напряжение затвора (макс): +18V, -8V

• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Серия: GaN
• Package / Case: 440193
• Тип корпуса: 440193
• Частота: 0Hz ~ 4GHz
• Номинальное напряжение: 84V
• Current - Test: 500mA
• Выходная мощность: 45W
• Тип транзистора: HEMT
• Усиление: 14dB
• Voltage - Test: 28V
• Номинальный ток: 10.5A

• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Package / Case: H-37275-6/2
• Тип корпуса: H-37275-6/2
• Частота: 2.17GHz
• Номинальное напряжение: 65V
• Current - Test: 2.4A
• Выходная мощность: 60W
• Тип транзистора: LDMOS
• Усиление: 18dB
• Voltage - Test: 30V

• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Package / Case: H-37275G-6/2
• Тип корпуса: H-37275G-6/2
• Частота: 2.11GHz ~ 2.17GHz
• Номинальное напряжение: 65V
• Current - Test: 2.6A
• Выходная мощность: 320W
• Тип транзистора: LDMOS
• Усиление: 17dB
• Voltage - Test: 28V
• Номинальный ток: 10µA

• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Серия: Z-FET™ Z-Rec™
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: Module
• Тип корпуса: Module
• Тип канала: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
• FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.3V @ 2.5mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 20V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2.810nF @ 800V
• Мощность - Макс.: 337W

• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Серия: C3M™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
• Тип корпуса: D2PAK-7
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 900V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.1V @ 5mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 15V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 600V
• Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 113W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
• Напряжение затвора (макс): +19V, -8V

• Производитель: Cree/Wolfspeed