Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Alpha & Omega Semiconductor Inc. 8-DFN (5x6)
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип полевого транзистора
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Half Bridge)
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 17A, 30A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V
- Мощность - Макс.: 3.6W, 4.3W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Half Bridge)
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 17A, 33A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V
- Мощность - Макс.: 3.6W, 4.3W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1380pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 1.9W (Ta), 31W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 150A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3430pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 7.4W (Ta), 83W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Серия: SDMOS™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 36A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1229pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 6W (Ta), 25W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 85A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3290pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 6.2W (Ta), 48W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±12V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1950pF @ 20V
- Мощность - Макс.: 1.6W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Серия: AlphaMOS
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 36A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3440pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 5W (Ta), 39W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±12V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Серия: AlphaMOS
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- FET Feature: Schottky Diode (Body)
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 32A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1975pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 4.1W (Ta), 41W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 85A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3800pF @ 20V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Серия: AlphaMOS
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 32A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2010pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 4.2W (Ta), 41W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 53A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1543pF @ 30V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 7.4W (Ta), 69.5W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100